公开(公告)号：CN118910654A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410730868.0

申请日：2024-06-06

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郑学军 ,  王经纬 ,  何文远 ,  董耀勇 ,  凌辉 ,  谢龙 ,  向振华

IPC: C25B11/091 ,  C25B11/065 ,  C25B11/052 ,  C25B1/04 ,  C01G31/00

Abstract: 本发明公开了一种钼阳离子和磷阴离子共掺VS2催化材料及其制备方法和在析氢反应中的应用，属于电催化材料技术领域。催化材料由微米花均匀生长在碳基材料上构成；且微米花由钼阳离子和磷阴离子共掺VS2纳米片组装而成，其制备方法是先对将碳基材料表面进行氧化预处理，再通过水热法在其表面原位生长钼掺杂二硫化钒材料，再通过热处理法掺杂磷，即得具有优异HER催化活性和循环稳定性的钼阳离子和磷阴离子共掺VS2催化材料，且该制备方法工艺简单、成本低、产率高、条件温和、所需设备简单、对环境友好，有利于工业化生产。

公开(公告)号：CN112661188B

公开(公告)日：2022-09-30

申请号：CN202110070613.2

申请日：2021-01-19

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郑学军 ,  王经纬 ,  何文远 ,  陈隆源 ,  王银民

IPC: C01G39/06 ,  C01C3/20 ,  H01G11/24 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明公开了一种硫氰酸铵插层二硫化钼微米花材料及其制备方法和在双电层超级电容器中的应用。硫氰酸铵插层二硫化钼微米花材料具有层状微米花结构；所述层状微米花结构由硫氰酸铵插层二硫化钼纳米片组装构成；其制备方法是将钼源及硫脲在水介质中进行水热反应，即得。该方法工艺简单、成本低、条件温和、所需设备简单、对环境友好，可以实现大规模生产。将硫氰酸铵插层二硫化钼微米花材料用于双电层超级电容器中，其具有优异的电容性能和循环稳定性，可以广泛应用在可穿戴电化学储能或柔性电子产品等领域。

公开(公告)号：CN112661188A

公开(公告)日：2021-04-16

申请号：CN202110070613.2

申请日：2021-01-19

Applicant: 湘潭大学

Inventor： 郑学军 ,  王经纬 ,  何文远 ,  陈隆源 ,  王银民

IPC: C01G39/06 ,  C01C3/20 ,  H01G11/24 ,  H01G11/86

Abstract: 本发明公开了一种硫氰酸铵插层二硫化钼微米花材料及其制备方法和在双电层超级电容器中的应用。硫氰酸铵插层二硫化钼微米花材料具有层状微米花结构；所述层状微米花结构由硫氰酸铵插层二硫化钼纳米片组装构成；其制备方法是将钼源及硫脲在水介质中进行水热反应，即得。该方法工艺简单、成本低、条件温和、所需设备简单、对环境友好，可以实现大规模生产。将硫氰酸铵插层二硫化钼微米花材料用于双电层超级电容器中，其具有优异的电容性能和循环稳定性，可以广泛应用在可穿戴电化学储能或柔性电子产品等领域。