一种氧化钇稳定的氧化锆非平衡四方相的低温化制备方法

    公开(公告)号:CN111020494A

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201911253783.3

    申请日:2019-12-09

    Applicant: 湘潭大学

    Abstract: 一种氧化钇稳定的氧化锆非平衡四方相的制备方法,包括:将氧化钇稳定的氧化锆置入腔室中的靶材托上,并将所述腔室抽真空;将Al2O3基底处理后置入所述腔室,并将所述腔室抽真空;将所述腔室内的所述Al2O3基底加热至第一预设温度后,通入氧气,并将腔室内的压强维持在第一预设压强范围内;开启激光器进行薄膜沉积;沉积后以第一预设速率对所述腔室降温,降温至第二预设温度后,得到沉积于所述Al2O3基底上的具有多畴结构的氧化钇稳定的氧化锆非平衡四方相薄膜。通过本发明的制备方法,可以在相对较低的温度下获得稳定存在的纳米晶YSZ非平衡四方相。

    一种不同取向单变体氧化钇稳定氧化锆外延膜的制备方法

    公开(公告)号:CN110804761B

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN201911253773.X

    申请日:2019-12-09

    Applicant: 湘潭大学

    Abstract: 一种不同取向单变体外延氧化钇稳定氧化锆薄膜的制备及其铁弹性表征的简单方法,包括:将氧化钇稳定的氧化锆置入腔室中的靶材托上,并将所述腔室抽真空;将钛酸锶基底处理后置入所述腔室,并将所述腔室抽真空;将所述腔室内的所述钛酸锶基底加热至第一预设温度后,通入氧气,并将腔室内的压强维持在第一预设压强范围内;开启激光器进行薄膜沉积;沉积后以第一预设速率对所述腔室降温,降温至第二预设温度后,得到与所述钛酸锶基底成外延关系的具有不同取向单变体的外延氧化钇稳定氧化锆的薄膜。通过本发明的制备方法得到的氧化钇稳定的氧化锆便于微结构调控,同时具有高铁弹性。

    一种不同取向单变体氧化钇稳定氧化锆外延膜的制备方法

    公开(公告)号:CN110804761A

    公开(公告)日:2020-02-18

    申请号:CN201911253773.X

    申请日:2019-12-09

    Applicant: 湘潭大学

    Abstract: 一种不同取向单变体外延氧化钇稳定氧化锆薄膜的制备及其铁弹性表征的简单方法,包括:将氧化钇稳定的氧化锆置入腔室中的靶材托上,并将所述腔室抽真空;将钛酸锶基底处理后置入所述腔室,并将所述腔室抽真空;将所述腔室内的所述钛酸锶基底加热至第一预设温度后,通入氧气,并将腔室内的压强维持在第一预设压强范围内;开启激光器进行薄膜沉积;沉积后以第一预设速率对所述腔室降温,降温至第二预设温度后,得到与所述钛酸锶基底成外延关系的具有不同取向单变体的外延氧化钇稳定氧化锆的薄膜。通过本发明的制备方法得到的氧化钇稳定的氧化锆便于微结构调控,同时具有高铁弹性。

    一种氧化钇稳定的氧化锆非平衡四方相的低温化制备方法

    公开(公告)号:CN111020494B

    公开(公告)日:2021-12-28

    申请号:CN201911253783.3

    申请日:2019-12-09

    Applicant: 湘潭大学

    Abstract: 一种氧化钇稳定的氧化锆非平衡四方相的制备方法,包括:将氧化钇稳定的氧化锆置入腔室中的靶材托上,并将所述腔室抽真空;将Al2O3基底处理后置入所述腔室,并将所述腔室抽真空;将所述腔室内的所述Al2O3基底加热至第一预设温度后,通入氧气,并将腔室内的压强维持在第一预设压强范围内;开启激光器进行薄膜沉积;沉积后以第一预设速率对所述腔室降温,降温至第二预设温度后,得到沉积于所述Al2O3基底上的具有多畴结构的氧化钇稳定的氧化锆非平衡四方相薄膜。通过本发明的制备方法,可以在相对较低的温度下获得稳定存在的纳米晶YSZ非平衡四方相。

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