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公开(公告)号：CN103779431A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310701975.2
申请日：2013-12-19
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/022425
摘要： 一种制备晶硅电池金属电极的方法，该方法是通过激光器的激光束加热处于激光器下方的浆料传送带上的浆料，使浆料通过浆料传送带的网孔转移至浆料传送带下方的晶硅电池表面上，在晶硅电池表面沉积金属电极。本发明方法制备的光伏电池金属电极正面栅线宽度可小于20μm，高度可到10—15μm，图形精度高达5μm，远高于丝网印刷25μm的图形精度。通过激光转移技术将银墨水转移到发射极，可以形成比传统丝网印刷技术更精细的电极结构和更优越的高宽比，其在商业化高效晶硅电池领域有很大的应用潜力，是制作电池正表面电极栅线技术的主流发展趋势。
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公开(公告)号：CN102903619A
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201210426668.3
申请日：2012-10-31
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/223
摘要： 本发明公开了一种实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺，包括如下步骤：（1）将硅片送入扩散炉；（2）升温过程；（3）恒温过程（可根据设备调整为多步恒温）；（4）第一次扩散（低温沉积）；（5）第一次低温分布；（6）第一次升温再分布；（7）第一次恒温再分布（可根据设备调整为多步恒温）；（8）第一次降温再分布；（9）第二次恒温再分布；（10）第二次扩散；（11）第二次降温再分布；（12）取出硅片。该工艺能够有效的改善因为温度浓度差异导致的掺杂不均匀而出现的晶体硅太阳能电池转换效率不稳定的问题，提高晶体硅太阳能电池的转换效率和良品率。
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公开(公告)号：CN103489958A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201310376522.7
申请日：2013-08-27
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/1836 , H01L31/1896
摘要： 本发明涉及一种柔性硅基砷化镓电池的制备方法，属于薄膜太阳能电池制造领域，适用于地面高效聚光发电系统，同时由于其高效轻质量等特性是目前空间电源的首选。该方法首先采用两片单晶硅片氧化、键合、抛光后制备成超薄硅衬底，利用金属有机气相沉积（MOCVD）或分子束外延（MBE）方法生长Ge-Si缓冲层和多结太阳能电池材料，然后正面采用光刻胶保护，背面采用化学腐蚀进行减薄，最后制备成电池。该发明以柔性的超薄硅作为最终衬底，能获得极大的比功率（>2000W/Kg），大大降低空间电源的发射成本，同时其卷曲的特性能够更加适应地面特殊环境的发电，加快太阳能发电的应用和发展。
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公开(公告)号：CN103236473A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310168596.1
申请日：2013-05-09
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种基于背钝化太阳能电池制作的背面抛光工艺，其步骤包括：先在硅片正面生成一定厚度，起保护作用的氮化硅掩膜，再使用加热的浓碱液对硅片背面进行中度腐蚀，达到抛光效果。本发明是一种低成本的化学抛光法，经济适用，适合大生产使用，化学液的处理也非常简单，一般的工厂水处理都可以完全解决，经济，环保。
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公开(公告)号：CN102634800A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210117818.2
申请日：2012-04-21
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种晶体硅太阳能电池较难清洗返工片的清洗方法，该方法包含以下三个步骤：用HF溶液，去除电池片的磷硅玻璃或Si3N4膜；用表面腐蚀液对硅片进行表面腐蚀从而将残留的硅片上的异常痕迹同时去除，达到将较难清洗返工片清洗干净的目的；经HF溶液清洗，除去腐蚀过程中产生的SiO2等杂质；再经HCl溶液清洗，去金属离子等杂质。较难清洗返工片经过该清洗方法处理后，进行重新扩散，及后道工序，最终电池片的转换效率可以达到正常电池片的水平，而且外观也与正常电池片无异，达到了返工清洗的目的。经过本发明的清洗，较难清洗返工片返工后的合格率由原来的50%提高到95%。
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公开(公告)号：CN102903619B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN201210426668.3
申请日：2012-10-31
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L21/223
摘要： 本发明公开了一种实现深结低表面浓度的晶体硅扩散工艺，包括如下步骤：（1）将硅片送入扩散炉；（2）升温过程；（3）恒温过程（可根据设备调整为多步恒温）；（4）第一次扩散（低温沉积）；（5）第一次低温分布；（6）第一次升温再分布；（7）第一次恒温再分布（可根据设备调整为多步恒温）；（8）第一次降温再分布；（9）第二次恒温再分布；（10）第二次扩散；（11）第二次降温再分布；（12）取出硅片。该工艺能够有效的改善因为温度浓度差异导致的掺杂不均匀而出现的晶体硅太阳能电池转换效率不稳定的问题，提高晶体硅太阳能电池的转换效率和良品率。
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公开(公告)号：CN105261670B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201510551065.X
申请日：2015-08-31
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L21/228
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种晶体硅电池的低压扩散工艺，包括以下步骤：(1)扩散前高温氧化；(2)低压扩散：采用分步扩散法制备PN结；(3)退火：改变内部压强以便于去除杂质。该低压扩散工艺能提高扩散片间均匀性，降低炉口温区温度，即提高扩散管各温区温度一致性、解决扩散炉炉口方阻大幅度波动问题、提高真空泵使用寿命、降低扩散工序生产成本。
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公开(公告)号：CN103779431B
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：CN201310701975.2
申请日：2013-12-19
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 一种制备晶硅电池金属电极的方法，该方法是通过激光器的激光束加热处于激光器下方的浆料传送带上的浆料，使浆料通过浆料传送带的网孔转移至浆料传送带下方的晶硅电池表面上，在晶硅电池表面沉积金属电极。本发明方法制备的光伏电池金属电极正面栅线宽度可小于20μm，高度可到10—15μm，图形精度高达5μm，远高于丝网印刷25μm的图形精度。通过激光转移技术将银墨水转移到发射极，可以形成比传统丝网印刷技术更精细的电极结构和更优越的高宽比，其在商业化高效晶硅电池领域有很大的应用潜力，是制作电池正表面电极栅线技术的主流发展趋势。
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公开(公告)号：CN103489958B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201310376522.7
申请日：2013-08-27
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明涉及一种柔性硅基砷化镓电池的制备方法，属于薄膜太阳能电池制造领域，适用于地面高效聚光发电系统，同时由于其高效轻质量等特性是目前空间电源的首选。该方法首先采用两片单晶硅片氧化、键合、抛光后制备成超薄硅衬底，利用金属有机气相沉积（MOCVD）或分子束外延（MBE）方法生长Ge-Si缓冲层和多结太阳能电池材料，然后正面采用光刻胶保护，背面采用化学腐蚀进行减薄，最后制备成电池。该发明以柔性的超薄硅作为最终衬底，能获得极大的比功率（>2000W/Kg），大大降低空间电源的发射成本，同时其卷曲的特性能够更加适应地面特殊环境的发电，加快太阳能发电的应用和发展。
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公开(公告)号：CN102629644A
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：CN201210117817.8
申请日：2012-04-21
申请人： 湖南红太阳光电科技有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种成品晶体硅太阳能电池片返工工艺，为了解决现有的低效和外观报废片未进行回收，造成资源浪费的问题，本发明包括如下步骤：1）、对待返工的成品电池片进行筛选分类；2）、将分类完毕的成品电池片还原成原始硅片；3）、按照常规工艺将原始硅片制成合格电池片。本发明不仅回收了电池片的贵金属电极，还重新还原成硅片后继续制成合格产品，良品率超过90%，节省了生产成本。
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