公开(公告)号：CN119890294A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510121180.7

申请日：2025-01-26

Applicant: 湖南大学

Inventor： 张楠 ,  王英新界 ,  解修强

IPC: H01M4/525 ,  H01M4/505 ,  H01M4/485 ,  H01M4/36 ,  H01M10/054 ,  C01G53/50 ,  C01G35/00

Abstract: 本发明公开了一种P2型中熵层状氧化物正极材料及其制备方法与应用。所述正极材料的结构式为NafLiaMgbNicMndTaeO2，其中，0.05≤a≤0.1，0.05≤b≤0.1，0.13≤c≤0.23，0.63≤d≤0.66，0.01≤e≤0.04，0.67≤f≤0.75，且a+b+c+d+e=1，a+b+c=0.33。本发明基于熵调控和人造CEI构建的双功能策略，实现了结构的精确调控；构型熵的增加以及在表面富集形成NaTaO3保护层协同提高了材料的表/界面的稳定性，获得了较好的空气稳定性和全气候性能。本发明提供的制备方法简单、原料简单易得，制备过程对设备要求不高，生产成本低，易于产业化应用。