-
公开(公告)号：CN119689201A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202510205769.5
申请日：2025-02-25
Applicant: 湖南大学
IPC: G01R31/26 , G01R31/327
Abstract: 本发明公开了一种Si IGBT与SiC MOSFET混合器件的过流可靠性测试电路及其方法，属于电力系统自动化控制技术领域，过流可靠性测试电路包括高压供电电路、测试电路以及驱动模块；测试电路一端与高压供电电路连接，测试电路另一端与驱动模块连接；测试电路包括电感负载L1、续流二极管D2以及混合器件，混合器件包括Si IGBT和SiC MOSFET，Si IGBT和SiC MOSFET并联；续流二极管D2和混合器件串联，电感负载L1的两端与续流二极管D2的阴极和阳极连接；驱动模块包括信号发生器、第一驱动器以及第二驱动器；本发明的有益效果是：可系统地测试Si IGBT与SiC MOSFET并联混合器件在过流条件下的可靠性，为混合器件的应用提供有力支持，实现功率器件高性能低成本的目标。
Search Results
1
records
(took 0.013 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
