公开(公告)号：CN119416542B

公开(公告)日：2025-04-01

申请号：CN202510019549.3

申请日：2025-01-07

Applicant: 湖南大学

Inventor： 白丹 ,  龙柳 ,  涂春鸣 ,  肖凡 ,  郭祺 ,  韩硕 ,  樊旺成 ,  李文昊

IPC: G06F30/20 ,  H02M1/00 ,  H02M1/088

Abstract: 本发明公开了一种综合考虑电流应力与器件损耗的Si/SiC混合器件驱动电压参数设计方法，包括：确定SiC MOSFET和Si IGBT为同开同关模式；获取SiC MOSFET和Si IGBT的最大可承受脉冲电流值；进行仿真获取第一数据和第二数据；分别根据SiC MOSFET和Si IGBT的最大可承受脉冲电流值将第一数据和第二数据中电流峰值超限的数据进行剔除，得到SiC MOSFET和Si IGBT的驱动正压及驱动负压可选范围；根据SiC MOSFET和Si IGBT的驱动正压及驱动负压可选范围分别选择混合器件损耗最小的值作为SiC MOSFET和Si IGBT的驱动正压及驱动负压。

公开(公告)号：CN119416542A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202510019549.3

申请日：2025-01-07

Applicant: 湖南大学

Inventor： 白丹 ,  龙柳 ,  涂春鸣 ,  肖凡 ,  郭祺 ,  韩硕 ,  樊旺成 ,  李文昊

IPC: G06F30/20 ,  H02M1/00 ,  H02M1/088

Abstract: 本发明公开了一种综合考虑电流应力与器件损耗的Si/SiC混合器件驱动电压参数设计方法，包括：确定SiC MOSFET和Si IGBT为同开同关模式；获取SiC MOSFET和Si IGBT的最大可承受脉冲电流值；进行仿真获取第一数据和第二数据；分别根据SiC MOSFET和Si IGBT的最大可承受脉冲电流值将第一数据和第二数据中电流峰值超限的数据进行剔除，得到SiC MOSFET和Si IGBT的驱动正压及驱动负压可选范围；根据SiC MOSFET和Si IGBT的驱动正压及驱动负压可选范围分别选择混合器件损耗最小的值作为SiC MOSFET和Si IGBT的驱动正压及驱动负压。