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公开(公告)号:CN119674545A
公开(公告)日:2025-03-21
申请号:CN202510030729.1
申请日:2025-01-08
Applicant: 湖南大学 , 中国科学院新疆天文台
Abstract: 本申请属于天线技术领域,涉及一种介质谐振器天线,包括:底板以及设在所述底板上的介质块;所述介质块包括:呈正四棱台结构的第一部分,所述第一部分的下底面设在所述底板的中心,以形成介质谐振器;所述介质块还包括:呈正四棱台结构的第二部分;所述第二部分的上底面与所述第一部分的上底面重合;所述第二部分的下底面边长大于所述第一部分的下底面边长,且所述第二部分的高度小于所述第一部分的高度;所述第二部分的下底面上设有朝向所述第一部分凹陷的谐振槽,所述谐振槽为正方体结构。采用本申请能够应用于S波段,同时实现超宽带和轻量化。
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公开(公告)号:CN119674539A
公开(公告)日:2025-03-21
申请号:CN202510043953.4
申请日:2025-01-10
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本申请属于天线技术领域,涉及一种超宽带透射阵列天线,包括:多个阵列设置的透射单元,以形成透射阵列;透射单元包括从上到下依次相叠的:入射层、第一介质层、透射层、第二介质层、出射层以及第三介质层;入射层是将出射层绕竖直方向旋转90度得到的;透射层包括:一个第一部件、两个第二部件以及两个第三部件;第一部件为线形圆环结构,设在第二介质层的中心;第二部件为线形圆弧结构,两个第二部件对称设在第一部件的两侧,并形成非闭合的圆形结构;第三部件为直线形结构,两个对应端分别连接第一部件以及第二部件;不同透射单元中第二部件的弧长不同,以实现超宽带。采用本申请能够同时实现高透光率和高导电率。
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公开(公告)号:CN111362697A
公开(公告)日:2020-07-03
申请号:CN202010190238.0
申请日:2020-03-18
Applicant: 湖南大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/64 , C04B35/634
Abstract: 本发明公开了一种新型可低温烧结的微波介质陶瓷,其化学组成为SrZnV2O7,采用SrCO3、ZnO和NH4VO3为原料。制备方法为:先按化学计量比进行配料,经球磨、烘干、过筛,于625℃预烧,再经二次球磨、烘干、造粒、成型,于730~760℃烧结,制成可低温烧结的微波介质陶瓷。本发明提供了一种烧结温度低,介电常数为10.96~11.78,品质因数为48475~56664GHz的微波介质陶瓷,其制备工艺简单,在工业上具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN119674490A
公开(公告)日:2025-03-21
申请号:CN202510043968.0
申请日:2025-01-10
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本申请属于天线技术领域,涉及一种海上救援充气天线,包括:基体部件、辐射部件以及馈电部件;所述基体部件为回转体结构,所述回转体结构的中心设有轴向的空气带隙,以使所述基体部件形成筒状结构;所述筒状结构的内部设有封闭的空腔,以填充气体,形成海上救援充气天线;所述辐射部件设在所述基体部件的侧面上,以辐射天线信号;所述馈电部件与所述辐射部件相连。采用本申请能够提高海上救援的效率和成功率。
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公开(公告)号:CN119651176A
公开(公告)日:2025-03-18
申请号:CN202510044055.0
申请日:2025-01-10
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本申请属于天线技术领域,涉及一种具有陷波特性的宽带天线,包括:介质基板、设在所述介质基板上表面的贴片层以及设在所述介质基板下表面的地板层;所述贴片层包括:微带线以及第一枝节;所述微带线为矩形结构,所述矩形结构的一个短边与介质基板的一个短边相连,且所述矩形结构的两个长边与介质基板的两个长边的距离不同;所述微带线上设有“T”形槽;所述第一枝节为“L”形结构,且所述“L”形结构设在所述微带线与所述介质基板的一个长边之间。采用本申请能够拓展平面缝隙天线的带宽,同时具备宽陷波特性。
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公开(公告)号:CN119674546A
公开(公告)日:2025-03-21
申请号:CN202510030688.6
申请日:2025-01-08
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本申请属于天线技术领域,涉及一种交叉偶极子天线,包括:超表面层、辐射层以及地板层;超表面层与地板层相连,并在超表面层与地板层之间形成容置空间;辐射层设在容置空间中,与地板层相连,并与超表面层间隔设置;辐射层包括:两对交叉偶极子;地板层上设有两个馈电结构,分别与两对交叉偶极子相连;辐射层包括:介质板以及关于介质板中心呈间隔中心对称分布的四个辐射贴片;介质板以及辐射贴片均为正方形结构,且辐射贴片的一边与介质板的一边平行;两个辐射贴片相邻设在介质板的顶面,另外两个辐射贴片相邻设在介质板的底面;对向的两个辐射贴片相连,以作为一个偶极子。本申请能够降低天线的剖面。
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公开(公告)号:CN118013840A
公开(公告)日:2024-05-10
申请号:CN202410176493.8
申请日:2024-02-08
Applicant: 湖南大学
IPC: G06F30/27 , G06F30/10 , G06F111/10
Abstract: 本申请属于阻抗建模技术领域,涉及一种预测单芯屏蔽线缆转移阻抗的方法、装置和设备。方法包括:获取不同型号的单芯屏蔽线缆的结构参数以及对应的转移阻抗曲线,建立数据集;根据单芯屏蔽线缆的结构参数,设计输入层、隐藏层以及输出层,建立先导神经网络模型;初始化先导神经网络模型的参数,并采用贝叶斯正则化方法,根据数据集的特征值和标签值,对先导神经网络模型进行训练;求解最小梯度,当达到预设值时,训练停止,得到预测神经网络模型;获取待预测的单芯屏蔽线缆的结构参数,输入预测神经网络模型,根据预测神经网络模型的输入层与输出层之间的映射关系,输出转移阻抗采样点,并得到转移阻抗曲线。本申请能够简化建模复杂度。
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公开(公告)号:CN114105637A
公开(公告)日:2022-03-01
申请号:CN202111520365.3
申请日:2021-12-13
Applicant: 湖南大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/48 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域,特别涉及一种中介电常数高温烧结微波介质陶瓷及其制备方法。所述微波介质陶瓷的化学表达式为:Ba8Nb4Zr3O24,采用固相烧结法制备。其烧结温度范围为1530‑1650℃。在1620℃可以获得性能优异微波介电性能:εr=32,Q×f=62151GHz,τf=‑27ppm/℃。本发明制备工艺简单,原料价格低廉,制备出的低损耗微波介质陶瓷在工业上具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN111393158A
公开(公告)日:2020-07-10
申请号:CN202010221059.9
申请日:2020-03-25
Applicant: 湖南大学
IPC: C04B35/447 , C04B35/622
Abstract: 本发明属于电子陶瓷及其制造领域,特别涉及一种低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法。所述微波介质陶瓷的化学表达式为:BaZn1-xMgxP2O7,其中0≤x≤0.06。其制备方法包括以下步骤:配料、球磨、烘干、过筛,于800℃预烧,再经二次球磨、烘干、造粒、成型,于870~930℃烧结。本发明制备的BaZn0.98Mg0.02P2O7陶瓷通过微量Mg2+离子取代Zn2+获得优异的微波介电性能,其介电常数为8.21,品质因数为84759GHz,谐振频率温度系数为-21.88ppm/℃。本发明制备工艺简单,原料价格低廉,在工业上具有广阔的应用前景。
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