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公开(公告)号：CN105538173B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201510884320.2
申请日：2015-12-03
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种无结合剂的超硬金刚石砂轮及其制造方法。所述无结合剂的超硬金刚石砂轮包括金属基体和固定在金属基体上的磨料层；所述磨料层为无结合剂的多晶CVD金刚石片，该磨料层的工作面上加工有磨粒和容屑槽。由此，通过人为的加工出磨粒与容屑槽，制作成不含结合剂的超硬砂轮，提高了砂轮的强度。本发明砂轮的磨粒与容屑槽分布均匀、高度一致，磨削加工时，能够有效的减小磨削力，降低了磨削温度。
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公开(公告)号：CN105538173A
公开(公告)日：2016-05-04
申请号：CN201510884320.2
申请日：2015-12-03
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种无结合剂的超硬金刚石砂轮及其制造方法。所述无结合剂的超硬金刚石砂轮包括金属基体和固定在金属基体上的磨料层；所述磨料层为无结合剂的多晶CVD金刚石片，该磨料层的工作面上加工有磨粒和容屑槽。由此，通过人为的加工出磨粒与容屑槽，制作成不含结合剂的超硬砂轮，提高了砂轮的强度。本发明砂轮的磨粒与容屑槽分布均匀、高度一致，磨削加工时，能够有效的减小磨削力，降低了磨削温度。
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公开(公告)号：CN115770960B
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202211465176.5
申请日：2022-11-22
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种含背金层半导体材料的复合切割工艺，其包括以下步骤：1)、采用砂轮对半导体材料的背金层进行切割形成切割槽；2)、采用激光内部改质切割工艺对半导体材料进行激光内切；激光的入射表面背离所述背金层，且激光的切割路径对应于所述切割槽；3)、对半导体材料进行裂片处理，将半导体材料分离为若干片。采用本发明的复合切割工艺获得了良好的切割表面，直线度≤10μm、崩边/崩角≤10μm，而且没有出现背金层与4H‑SiC无明显分层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104589224B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201510038115.4
申请日：2015-01-26
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种软脆材料加工磨具及其制造方法及对软脆材料加工的方法。所述加工磨具包括基体，所述基体的加工面上固定有多个金刚石片；所述金刚石片的加工面为弧面，该金刚石片的弧面上开设有图纹槽，所述金刚石片相对基体的突出高度为1mm—2mm。所述对软脆材料加工的方法为：采用所述软脆材料加工磨具对软脆材料进行磨削，直到检测软脆材料表面的表面粗糙度为0.01μm—0.1μm。本发明利用所述加工磨具对软脆材料加工，提高了材料的加工质量，解决了软脆材料的超精密加工问题。
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公开(公告)号：CN104669071B
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201510032410.9
申请日：2015-01-22
Applicant: 湖南大学
IPC: B24B1/00
Abstract: 本发明公开了一种复合材料的磨抛加工工艺。所述复合材料的磨抛加工工艺包括如下步骤：a）对复合材料进行磨削，所选磨削用的磨料硬度大于复合材料中基体的硬度且能与复合材料中的增强体发生摩擦磨损而去除增强体，磨削过程中复合材料中的增强体相对于基体表面形成凸台；b）当所述凸台相对于基体表面的突出高度不大于5μm时，对复合材料进行抛光，直到所述凸台完全去除，所选抛光用的磨料粒度不大于复合材料中增强体的粒度。本发明在不破坏复合材料性能的前提下，实现材料的均匀去除，达到复合材料的加工要求，并提高复合材料的加工效率。
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公开(公告)号：CN104669071A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201510032410.9
申请日：2015-01-22
Applicant: 湖南大学
IPC: B24B1/00
CPC classification number: B24B1/00
Abstract: 本发明公开了一种复合材料的磨抛加工工艺。所述复合材料的磨抛加工工艺包括如下步骤：a）对复合材料进行磨削，所选磨削用的磨料硬度大于复合材料中基体的硬度且能与复合材料中的增强体发生摩擦磨损而去除增强体，磨削过程中复合材料中的增强体相对于基体表面形成凸台；b）当所述凸台相对于基体表面的突出高度不大于5μm时，对复合材料进行抛光，直到所述凸台完全去除，所选抛光用的磨料粒度不大于复合材料中增强体的粒度。本发明在不破坏复合材料性能的前提下，实现材料的均匀去除，达到复合材料的加工要求，并提高复合材料的加工效率。
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公开(公告)号：CN115770960A
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN202211465176.5
申请日：2022-11-22
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种含背金层半导体材料的复合切割工艺，其包括以下步骤：1)、采用砂轮对半导体材料的背金层进行切割形成切割槽；2)、采用激光内部改质切割工艺对半导体材料进行激光内切；激光的入射表面背离所述背金层，且激光的切割路径对应于所述切割槽；3)、对半导体材料进行裂片处理，将半导体材料分离为若干片。采用本发明的复合切割工艺获得了良好的切割表面，直线度≤10μm、崩边/崩角≤10μm，而且没有出现背金层与4H‑SiC无明显分层。
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公开(公告)号：CN104589224A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510038115.4
申请日：2015-01-26
Applicant: 湖南大学
Abstract: 本发明公开了一种软脆材料加工磨具及其制造方法及对软脆材料加工的方法。所述加工磨具包括基体，所述基体的加工面上固定有多个金刚石片；所述金刚石片的加工面为弧面，该金刚石片的弧面上开设有图纹槽，所述金刚石片相对基体的突出高度为1mm—2mm。所述对软脆材料加工的方法为：采用所述软脆材料加工磨具对软脆材料进行磨削，直到检测软脆材料表面的表面粗糙度为0.01μm—0.1μm。本发明利用所述加工磨具对软脆材料加工，提高了材料的加工质量，解决了软脆材料的超精密加工问题。
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