公开(公告)号：CN102021573B

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201010606722.3

申请日：2010-12-27

Applicant: 湖南大学

Inventor： 徐伟箭 ,  欧恩才 ,  张小娟 ,  熊远钦 ,  陈忠明 ,  向育军 ,  钱江涛

IPC: C23C26/00

Abstract: 本发明为一种贵金属-石墨烯双层复合导电膜的自组装制备方法，它是以贵金属离子或配离子、氧化石墨烯为原料，通过溶剂诱导自组装方法得到的贵金属-石墨烯双层复合导电膜。双层复合导电膜的贵金属层、石墨烯层及整体膜的厚度可以通过贵金属离子溶液、氧化石墨烯溶液的浓度和体积进行调控，双层复合导电膜中银层与石墨烯层的导电性可以调控。本发明提供了一种稳定、可靠的贵金属-石墨烯双层复合导电膜制备方法。本发明提供的贵金属-石墨烯双层复合导电膜可用于电子器件。

公开(公告)号：CN102021573A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010606722.3

申请日：2010-12-27

Applicant: 湖南大学

Inventor： 徐伟箭 ,  欧恩才 ,  张小娟 ,  熊远钦 ,  陈忠明 ,  向育军 ,  钱江涛

IPC: C23C26/00

Abstract: 本发明为一种贵金属-石墨烯双层复合导电膜的自组装制备方法，它是以贵金属离子或配离子、氧化石墨烯为原料，通过溶剂诱导自组装方法得到的贵金属-石墨烯双层复合导电膜。双层复合导电膜的贵金属层、石墨烯层及整体膜的厚度可以通过贵金属离子溶液、氧化石墨烯溶液的浓度和体积进行调控，双层复合导电膜中银层与石墨烯层的导电性可以调控。本发明提供了一种稳定、可靠的贵金属-石墨烯双层复合导电膜制备方法。本发明提供的贵金属-石墨烯双层复合导电膜可用于电子器件。