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公开(公告)号：CN115938948A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202210638363.2
申请日：2022-06-08
Applicant: 湖南大学
IPC: H01L21/34 , H01L29/786
Abstract: 一种热解制备金属‑半导体范德华接触的方法，包括以下步骤：1)配置热解有机缓冲层前驱体溶液；2)将所述热解有机缓冲层前驱体溶液旋涂于半导体表面并烘干形成热解有机缓冲层薄膜；3)在所述热解有机缓冲层薄膜上蒸镀金属形成电极；4)加热退火分解所述热解缓冲层薄膜。本发明通过旋涂热解有机薄膜作为缓冲层，通过旋涂在半导体材料上可以有效地保护了在热/电子束蒸镀金属化过程“高能量”的原子或团簇对材料的破坏，缓冲层完全分解成气体流走而不留下任何溶液或残留物，从而保证金属与半导体形成干净和原子级平整的vdW接触。
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