一种基于忆阻器的双模PUF结构及其工作方法

    公开(公告)号:CN116684105A

    公开(公告)日:2023-09-01

    申请号:CN202310806658.0

    申请日:2023-07-04

    申请人: 湖北大学

    IPC分类号: H04L9/32 H04L9/08

    摘要: 本发明公开了一种基于忆阻器的双模PUF结构及其工作方法,该结构包括两个相同的阵列电路、判决模块,阵列电路的输出端分别连接判决模块的输入端,判决模块的输出端输出0/1密钥;阵列电路包括与门、n个PUF基本单元,n个PUF基本单元依次首尾连接,与门的两个输入端分别连接第n个PUF基本单元的输出端、使能信号EN,与门的输出端连接第1个PUF基本单元的输入端。本发明中由于忆阻器在高阻态具有随机性,进而会影响PUF输出密钥的值,实现了将忆阻器阻值随电压变化的特性与两种PUF模式切换结合,达到了增加CRPS、提高CRP效率、增强扛机器学习能力的目的。

    一种基于忆阻器的双模PUF结构及其工作方法

    公开(公告)号:CN116684105B

    公开(公告)日:2024-01-16

    申请号:CN202310806658.0

    申请日:2023-07-04

    申请人: 湖北大学

    IPC分类号: H04L9/32 H04L9/08

    摘要: 本发明公开了一种基于忆阻器的双模PUF结构及其工作方法,该结构包括两个相同的阵列电路、判决模块,阵列电路的输出端分别连接判决模块的输入端,判决模块的输出端输出0/1密钥;阵列电路包括与门、n个PUF基本单元,n个PUF基本单元依次首尾连接,与门的两个输入端分别连接第n个PUF基本单元的输出端、使能信号EN,与门的输出端连接第1个PUF基本单元的输入端。本发明中由于忆阻器在高阻态具有随机性,进而会影响PUF输出密钥的值,实现了将忆阻器阻值随电压变化的特性与两种PUF模式切换结合,达到了增加CRPS、提高CRP效率、增强扛机器学习能力的目的。