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公开(公告)号：CN107342140B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201710633336.5
申请日：2017-07-28
Applicant: 清华大学深圳研究生院
Abstract: 本发明公开了一种制作稀土钡铜氧超导膜的方法。该方法包括以下步骤：(a)配制含有稀土元素离子、钡离子、铜离子与溶剂的前驱溶液；(b)通过不高于20℃的恒温方式控制涂覆温度，控制基底和前驱溶液在同一设定温度，将前驱溶液涂覆于基底上得到前驱膜；(c)将前驱膜置入热处理炉中，通过热分解、烧结和充氧步骤获得稀土钡铜氧超导膜。通过控制涂覆温度处在特定的恒定温度，有效地增加薄膜的厚度。
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公开(公告)号：CN107342140A
公开(公告)日：2017-11-10
申请号：CN201710633336.5
申请日：2017-07-28
Applicant: 清华大学深圳研究生院
CPC classification number: Y02E40/642 , H01B12/06 , C23C18/1216 , C23C18/1291 , H01B13/00 , H01B13/0026
Abstract: 本发明公开了一种制作稀土钡铜氧超导膜的方法与恒温浸涂设备。该方法包括以下步骤：(a)配制含有稀土元素离子、钡离子、铜离子与溶剂的前驱溶液；(b)通过不高于20℃的恒温方式控制涂覆温度，控制基底和前驱溶液在同一设定温度，将前驱溶液涂覆于基底上得到前驱膜；(c)将前驱膜置入热处理炉中，通过热分解、烧结和充氧步骤获得稀土钡铜氧超导膜。通过控制涂覆温度处在特定的恒定温度，有效地增加薄膜的厚度。
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公开(公告)号：CN107144802A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710325985.9
申请日：2017-05-10
Applicant: 清华大学深圳研究生院
IPC: G01R33/12
CPC classification number: G01R33/1246
Abstract: 快速测量超导薄膜平均临界电流的方法：测量待测超导薄膜样品的几何尺寸；将待测样品冷却至超导态并进行励磁；采用磁场测量装置扫描测量待测样品几何中心区域磁感应强度B；根据B的最大值确定待测样品的几何中心点坐标；将磁场测量装置固定于几何中心点的正上方或正下方一高度h处以测量待测样品在磁场测量装置固定处产生的磁感应强度Bc；对一平均临界电流Ic已知的超导薄膜对照样品执行前述的全部步骤得到该对照样品的Bc值；根据超导薄膜的Bc与h、Ic和几何尺寸之间的关系式，基于测量得到的对照样品的所述几何尺寸、Bc值和已知的Ic值，得到h的值，再将h的值及测量得到的待测样品的几何尺寸和Bc值代入关系式，得到待测样品的Ic值。
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公开(公告)号：CN107144802B
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201710325985.9
申请日：2017-05-10
Applicant: 清华大学深圳研究生院
IPC: G01R33/12
Abstract: 快速测量超导薄膜平均临界电流的方法：测量待测超导薄膜样品的几何尺寸；将待测样品冷却至超导态并进行励磁；采用磁场测量装置扫描测量待测样品几何中心区域磁感应强度B；根据B的最大值确定待测样品的几何中心点坐标；将磁场测量装置固定于几何中心点的正上方或正下方一高度h处以测量待测样品在磁场测量装置固定处产生的磁感应强度Bc；对一平均临界电流Ic已知的超导薄膜对照样品执行前述的全部步骤得到该对照样品的Bc值；根据超导薄膜的Bc与h、Ic和几何尺寸之间的关系式，基于测量得到的对照样品的所述几何尺寸、Bc值和已知的Ic值，得到h的值，再将h的值及测量得到的待测样品的几何尺寸和Bc值代入关系式，得到待测样品的Ic值。
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