免疫生物芯片再生方法及再生免疫生物芯片

    公开(公告)号:CN102662053B

    公开(公告)日:2014-10-22

    申请号:CN201210117167.7

    申请日:2012-04-19

    Applicant: 清华大学

    Inventor: 曲炳郡 雷博

    Abstract: 本发明涉及免疫生物芯片再生方法及再生免疫生物芯片。其中,免疫生物芯片再生方法中所述的免疫生物芯片包括芯片基体和第一抗体的Fc片段,该第一抗体的Fc片段形成于芯片基体上,该方法包括:使用固定剂对免疫生物芯片进行固定化处理,以便使得第一抗体的Fc片段携带正电荷;将经过固定化处理的免疫生物芯片与全长第二抗体混合,以便使得全长第二抗体与携带正电荷的第一抗体的Fc片段通过静电作用结合,从而形成携带第二抗体的免疫生物芯片。利用该方法能够方便高效地对免疫生物芯片进行再生。

    免疫生物芯片再生方法及再生免疫生物芯片

    公开(公告)号:CN102662053A

    公开(公告)日:2012-09-12

    申请号:CN201210117167.7

    申请日:2012-04-19

    Applicant: 清华大学

    Inventor: 曲炳郡 雷博

    Abstract: 本发明涉及免疫生物芯片再生方法及再生免疫生物芯片。其中,免疫生物芯片再生方法中所述的免疫生物芯片包括芯片基体和第一抗体的Fc片段,该第一抗体的Fc片段形成于芯片基体上,该方法包括:使用固定剂对免疫生物芯片进行固定化处理,以便使得第一抗体的Fc片段携带正电荷;将经过固定化处理的免疫生物芯片与全长第二抗体混合,以便使得全长第二抗体与携带正电荷的第一抗体的Fc片段通过静电作用结合,从而形成携带第二抗体的免疫生物芯片。利用该方法能够方便高效地对免疫生物芯片进行再生。

    自旋阀GMR薄膜结构、具有其的生物传感器及制作方法

    公开(公告)号:CN102706954B

    公开(公告)日:2016-06-29

    申请号:CN201210183979.1

    申请日:2012-06-05

    Applicant: 清华大学

    Inventor: 曲炳郡 杨华 雷博

    Abstract: 本发明提出一种自旋阀巨磁电阻GMR薄膜结构,包括:衬底;形成在所述衬底之上的缓冲层;依次形成在所述缓冲层之上的复合自由层;形成在所述复合自由层之上的隔离层,所述隔离层为非磁材料;形成在所述隔离层之上的被钉扎层;形成在所述被钉扎层之上的钉扎层;形成在所述钉扎层之上的覆盖层。本发明具有高磁阻率,很好的矫顽力,提高了对生物分子浓度的检测极限,并且可以批量生产应用。本发明还提出一种生物传感器及其制作方法、多通道扫描电路检测系统以及生物检测方法。

    自旋阀GMR薄膜结构、具有其的生物传感器及制作方法

    公开(公告)号:CN102706954A

    公开(公告)日:2012-10-03

    申请号:CN201210183979.1

    申请日:2012-06-05

    Applicant: 清华大学

    Inventor: 曲炳郡 杨华 雷博

    Abstract: 本发明提出一种自旋阀巨磁电阻GMR薄膜结构,包括:衬底;形成在所述衬底之上的缓冲层;依次形成在所述缓冲层之上的复合自由层;形成在所述复合自由层之上的隔离层,所述隔离层为非磁材料;形成在所述隔离层之上的被钉扎层;形成在所述被钉扎层之上的钉扎层;形成在所述钉扎层之上的覆盖层。本发明具有高磁阻率,很好的矫顽力,提高了对生物分子浓度的检测极限,并且可以批量生产应用。本发明还提出一种生物传感器及其制作方法、多通道扫描电路检测系统以及生物检测方法。

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