公开(公告)号：CN109509753A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201810585371.9

申请日：2018-06-08

Applicant: 清华大学

Inventor： 马静 ,  马吉 ,  南策文 ,  刘晨 ,  王静 ,  陈明凤

IPC: H01L27/11507 ,  G11C11/22

Abstract: 本发明公开了一种高密度无损读取的铁电畴壁存储器。该纳米铁电畴壁存储器，由下至上依次包括：单晶基底层、底电极层和铁电材料层；所述铁电材料层由若干个等间距排列的方块组成。通过控制不同的生长条件获得边长600纳米以下的方形铁电单元，工艺简单有效，避免了成本很高且工艺复杂的光刻和刻蚀对材料性能造成的损伤。本发明制备的铁电畴壁器件单元利用形状几何边界条件对铁电畴壁形成拓扑保护，从而实现电压控制的高开关比、稳定、可重复擦写的非易失性导电畴壁。本发明有效利用了铁电畴壁尺寸小，控制电压低的特点实现高密度、低功耗的铁电畴壁为单元的信息存储。

公开(公告)号：CN109509753B

公开(公告)日：2020-11-03

申请号：CN201810585371.9

申请日：2018-06-08

Applicant: 清华大学

Inventor： 马静 ,  马吉 ,  南策文 ,  刘晨 ,  王静 ,  陈明凤

IPC: H01L27/11507 ,  G11C11/22

Abstract: 本发明公开了一种高密度无损读取的铁电畴壁存储器。该纳米铁电畴壁存储器，由下至上依次包括：单晶基底层、底电极层和铁电材料层；所述铁电材料层由若干个等间距排列的方块组成。通过控制不同的生长条件获得边长600纳米以下的方形铁电单元，工艺简单有效，避免了成本很高且工艺复杂的光刻和刻蚀对材料性能造成的损伤。本发明制备的铁电畴壁器件单元利用形状几何边界条件对铁电畴壁形成拓扑保护，从而实现电压控制的高开关比、稳定、可重复擦写的非易失性导电畴壁。本发明有效利用了铁电畴壁尺寸小，控制电压低的特点实现高密度、低功耗的铁电畴壁为单元的信息存储。