复合外腔电流步进调谐半导体激光器及其调谐方法

    公开(公告)号:CN1225824C

    公开(公告)日:2005-11-02

    申请号:CN03146791.1

    申请日:2003-07-11

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明属于半导体激光器技术领域,涉及复合外腔电流步进调谐半导体激光器及其调谐方法。该激光器包括两段式结构半导体激光芯片构成本征腔;半导体激光芯片一端解理面镀增透膜并与其相对设置的一反射镜构成激光器外腔,在该外腔中插入一法布里-玻罗标准具,该标准具的各反射面以一小角度偏离谐振腔光轴的垂直面。该方法设置法布里-玻罗标准具的透射滤波选择模式间隔的n倍等于步进调谐步长;半导体芯片本征腔纵模间隔的m倍与步进调谐步长有微小的差异;该微小的差异根据所需调谐的最大范围W1确定。使调谐步长是外腔的纵模间隔的g倍。本发明使调谐步长选择范围大。还可根据需要改变调谐步长,使同一器件能在不同场合灵活运用。

    复合外腔电流步进调谐半导体激光器及其调谐方法

    公开(公告)号:CN1472852A

    公开(公告)日:2004-02-04

    申请号:CN03146791.1

    申请日:2003-07-11

    Applicant: 清华大学

    Abstract: 本发明属于半导体激光器技术领域,涉及复合外腔电流步进调谐半导体激光器及其调谐方法。该激光器包括两段式结构半导体激光芯片构成本征腔;半导体激光芯片一端解理面镀增透膜并与其相对设置的一反射镜构成激光器外腔,在该外腔中插入—法布里-玻罗标准具,该标准具的各反射面以一小角度偏离谐振腔光轴的垂直面。该方法设置法布里-玻罗标准具的透射滤波选择模式间隔的n倍等于步进调谐步长;半导体芯片本征腔纵模间隔的m倍与步进调谐步长有微小的差异;该微小的差异根据所需调谐的最大范围W1确定。使调谐步长是外腔的纵模间隔的g倍。本发明使调谐步长选择范围大。还可根据需要改变调谐步长,使同一器件能在不同场合灵活运用。

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