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公开(公告)号：CN85200017U
公开(公告)日：1985-09-10
申请号：CN85200017
申请日：1985-04-01
Applicant: 清华大学
Inventor： 周炳琨 , 张汉一 , 王江林
IPC: H01S3/18
Abstract: 本实用新型为短耦合腔单模可调谐半导体激光器其属于激光技术领域。本实用新型提出的短耦合腔半导体激光器具有如下特征：(1)激光二极管在耦合腔一侧的表面镀增透膜；(2)用多层介质膜做耦合腔反射镜；(3)用压电晶体精确调整短耦合腔腔长。因此，具有比以往器件显著好的性能，边模抑制比达到35dB以上。该器件可广泛应用于光纤通信、传感、计量检测等领域。
