公开(公告)号：CN109822174B

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN201910223507.6

申请日：2019-03-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 向东 ,  游孟醒 ,  王翔

IPC: B23K1/018 ,  B23K3/04 ,  B23K101/42

Abstract: 本发明公开了一种降低芯片分层率的电路板拆解热风熔焊方法，包括：将拆解电路板依次在第一加热腔室、第二加热腔室、第三加热腔室、第四加热腔室和第五加热腔室进行熔焊，其中，所述第一加热腔室的温度为270～300摄氏度，所述第二加热腔室的温度为250～290摄氏度，所述第三加热腔室的温度为230～240摄氏度，所述第四加热腔室的温度为240～250摄氏度，所述第五加热腔室的温度为230～240摄氏度。采用该方法可以在保证电路板充分熔焊的前提下，显著降低芯片的分层率，从而提高芯片的重用性，具有较高的经济效益。

公开(公告)号：CN109822174A

公开(公告)日：2019-05-31

申请号：CN201910223507.6

申请日：2019-03-22

Applicant: 清华大学

Inventor： 向东 ,  游孟醒 ,  王翔

IPC: B23K1/018 ,  B23K3/04 ,  B23K101/42

Abstract: 本发明公开了一种降低芯片分层率的电路板拆解热风熔焊方法，包括：将拆解电路板依次在第一加热腔室、第二加热腔室、第三加热腔室、第四加热腔室和第五加热腔室进行熔焊，其中，所述第一加热腔室的温度为270～300摄氏度，所述第二加热腔室的温度为250～290摄氏度，所述第三加热腔室的温度为230～240摄氏度，所述第四加热腔室的温度为240～250摄氏度，所述第五加热腔室的温度为230～240摄氏度。采用该方法可以在保证电路板充分熔焊的前提下，显著降低芯片的分层率，从而提高芯片的重用性，具有较高的经济效益。