公开(公告)号：CN1014007B

公开(公告)日：1991-09-18

申请号：CN87104390

申请日：1987-06-25

Applicant: 清华大学

Inventor： 柳百新 ,  李健 ,  李恒德

IPC: G11B5/85 ,  C23C14/48 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明是一项用离子注入并配合真空退火而组成的新方法，它可以用于改善溅射方法制备的Co-Cr合金薄膜的磁学性能，使之达到作为高密度垂直磁记录介质的技术指标。本方法具有良好的重复性。

公开(公告)号：CN1031440A

公开(公告)日：1989-03-01

申请号：CN87104390

申请日：1987-06-25

Applicant: 清华大学

Inventor： 柳百新 ,  李健 ,  李恒德

IPC: G11B5/848

Abstract: 本发明是一项用离子注入并配合真空退火而组成的新方法，它可以用于改善溅射方法制备的Co-Cr合金薄膜的磁学性能，使之达到作为高密度垂直磁记录介质的技术指标。本方法具有良好的重复性。