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公开(公告)号：CN112436380B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN202011304983.X
申请日：2020-11-19
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种基于范德华外延的垂直腔面发射激光器及其制作方法，上述制作方法中，制作GaN基有源区结构，包括：在第一衬底上覆盖单层二维材料；在覆盖有单层二维材料的第一衬底上外延生长GaN基有源区结构。GaN基有源区结构自下而上包括：n型GaN层、有源区、电子阻挡层、p型GaN层以及p+GaN层，p+GaN层作为第一欧姆接触层。在第二衬底上形成第一分布式布拉格反射镜结构。将GaN基有源区结构从第一衬底上剥离。将剥离后的GaN基有源区结构与位于第二衬底上的第一分布式布拉格反射镜结构键合。在键合后结构的第一欧姆接触层之上形成第二分布式布拉格反射镜结构。形成了具有低阈值电流密度、高增益的垂直腔面发射激光器。
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公开(公告)号：CN112436380A
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN202011304983.X
申请日：2020-11-19
Applicant: 清华大学
Abstract: 一种基于范德华外延的垂直腔面发射激光器及其制作方法，上述制作方法中，制作GaN基有源区结构，包括：在第一衬底上覆盖单层二维材料；在覆盖有单层二维材料的第一衬底上外延生长GaN基有源区结构。GaN基有源区结构自下而上包括：n型GaN层、有源区、电子阻挡层、p型GaN层以及p+GaN层，p+GaN层作为第一欧姆接触层。在第二衬底上形成第一分布式布拉格反射镜结构。将GaN基有源区结构从第一衬底上剥离。将剥离后的GaN基有源区结构与位于第二衬底上的第一分布式布拉格反射镜结构键合。在键合后结构的第一欧姆接触层之上形成第二分布式布拉格反射镜结构。形成了具有低阈值电流密度、高增益的垂直腔面发射激光器。
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