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公开(公告)号：CN102516876B
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201110373959.6
申请日：2011-11-22
Applicant: 清华大学 , 深圳市力合材料有限公司 , 深圳清华大学研究院
IPC: H01L21/304
Abstract: 本发明公开了属于化学机械抛光技术领域的一种用于硅晶片抛光的抛光组合物及其制备方法。该抛光组合物由功能化二氧化硅溶胶、硅酸改性剂、抛光垫保护剂、碱性化合物、表面活性剂和去离子水组成，其中，按重量百分比，磨料为0.05～50wt％，硅酸改性剂为0.001～10wt％，抛光垫保护剂为0.001～1wt％，碱性化合物为0.001～10wt％，表面活性剂为0.001～1wt％，余量为去离子水。本发明中所含有的功能化二氧化硅溶胶可减小暴露的Si-OH的数量，降低了二氧化硅粒子抛光后生成硅酸的反应活性，使二氧化硅粒子在抛光过程中不易受硅酸作用而沉积于抛光垫表面，相较于常规抛光液，减少了阻塞抛光垫孔道的几率。
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公开(公告)号：CN102093820B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201110002321.1
申请日：2011-01-06
Applicant: 清华大学 , 深圳清华大学研究院 , 深圳市力合材料有限公司
Abstract: 本发明公开了属于在半导体硅衬底材料粗抛光用的抛光组合物技术领域的一种高稳定性的硅晶片化学机械抛光组合物。该抛光组合物各组分及其含量为：二氧化硅磨粒：0.5～50wt％；含硅稳定剂：0.01～10wt％；有机碱腐蚀剂：0.01～20wt％；有机酸螯合剂：0.01～10wt％；其它功能助剂：0.01～5.0wt％；去离子水：余量；该种抛光液稳定时间2年以上；进行重复抛光或循环抛光，pH值和去除速率亦能保持稳定，循环抛光次数可达10次。同时对硅片去除率大，可达到1.0μm/min以上，多次循环抛光去除率稳定。抛光液配置方便、使用简单、成本低廉，适合于半导体行业各种种类和尺寸的硅片粗抛光。
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公开(公告)号：CN102127373B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110002322.6
申请日：2011-01-06
Applicant: 清华大学 , 深圳市力合材料有限公司 , 深圳清华大学研究院
Abstract: 本发明公开了属于半导体硅衬底材料粗抛光用的抛光组合物技术领域的一种高去除低划伤的硅片化学机械抛光组合物及制备方法。该抛光组合物的主体组成成分为二氧化硅溶胶磨料、有机碱、功能助剂为有机硅类稳定剂、有机硅类分散剂、有机酸螯合剂和润湿剂；其中使用的有机硅类的稳定剂和分散剂类，使硅片粗抛光时具有去除速率高以及划伤较少的特点。本发明抛光液去除速率高，多次抛光去除速率稳定；进行大批量抛光时，性能稳定，团聚少，抛光产物在抛光垫上残留少，平均硅片划伤率在3％以内。使用该种抛光液长时间生产性能稳定，产品合格率和生产效率都得到提高。抛光液配置方便、使用简单、成本低廉，可适合半导体行业各种种类和尺寸的硅片粗抛光。
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公开(公告)号：CN102516876A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110373959.6
申请日：2011-11-22
Applicant: 清华大学 , 深圳市力合材料有限公司 , 深圳清华大学研究院
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明公开了属于化学机械抛光技术领域的一种用于硅晶片抛光的抛光组合物及其制备方法。该抛光组合物由功能化二氧化硅溶胶、硅酸改性剂、抛光垫保护剂、碱性化合物、表面活性剂和去离子水组成，其中，按重量百分比，磨料为0.05～50wt％，硅酸改性剂为0.001～10wt％，抛光垫保护剂为0.001～1wt％，碱性化合物为0.001～10wt％，表面活性剂为0.001～1wt％，余量为去离子水。本发明中所含有的功能化二氧化硅溶胶可减小暴露的Si-OH的数量，降低了二氧化硅粒子抛光后生成硅酸的反应活性，使二氧化硅粒子在抛光过程中不易受硅酸作用而沉积于抛光垫表面，相较于常规抛光液，减少了阻塞抛光垫孔道的几率。
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公开(公告)号：CN102093820A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201110002321.1
申请日：2011-01-06
Applicant: 清华大学 , 深圳清华大学研究院 , 深圳市力合材料有限公司
Abstract: 本发明公开了属于在半导体硅衬底材料粗抛光用的抛光组合物技术领域的一种高稳定性的硅晶片化学机械抛光组合物。该抛光组合物各组分及其含量为：二氧化硅磨粒：0.5～50wt％；含硅稳定剂：0.01～10wt％；有机碱腐蚀剂：0.01～20wt％；有机酸螯合剂：0.01～10wt％；其它功能助剂：0.01～5.0wt％；去离子水：余量；该种抛光液稳定时间2年以上；进行重复抛光或循环抛光，pH值和去除速率亦能保持稳定，循环抛光次数可达10次。同时对硅片去除率大，可达到1.0μm/min以上，多次循环抛光去除率稳定。抛光液配置方便、使用简单、成本低廉，适合于半导体行业各种种类和尺寸的硅片粗抛光。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102093819A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN201110002318.X
申请日：2011-01-06
Applicant: 清华大学 , 深圳清华大学研究院 , 深圳市力合材料有限公司
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了化学机械抛光(CMP)领域的一种用于硅晶片精抛光的抛光组合物。该抛光组合物中二氧化硅颗粒粒径为1～500nm，含量为0.05～20wt％；表面活性剂含量为0.001～1wt％；碱性化合物含量为0.001～10wt％；半乳甘露聚糖含量为0.001～5wt％；半乳甘露聚糖协同增效剂含量为0.001～1wt％；其余为水，pH值为8～12。半乳甘露聚糖及半乳甘露聚糖协同增效剂能有效的抑制磨粒在硅晶片表面的硬性损伤，减少金属离子在硅晶片表面的沉积。本发明的抛光组合物特别适合于硅晶片的精抛光，其优势在于抛光速率快，表面缺陷少，抛光后的硅晶片金属离子污染物少且易于清洗。
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公开(公告)号：CN102093819B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN201110002318.X
申请日：2011-01-06
Applicant: 清华大学 , 深圳清华大学研究院 , 深圳市力合材料有限公司
IPC: C09G1/02
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开了化学机械抛光(CMP)领域的一种用于硅晶片精抛光的抛光组合物。该抛光组合物中二氧化硅颗粒粒径为1～500nm，含量为0.05～20wt％；表面活性剂含量为0.001～1wt％；碱性化合物含量为0.001～10wt％；半乳甘露聚糖含量为0.001～5wt％；半乳甘露聚糖协同增效剂含量为0.001～1wt％；其余为水，pH值为8～12。半乳甘露聚糖及半乳甘露聚糖协同增效剂能有效的抑制磨粒在硅晶片表面的硬性损伤，减少金属离子在硅晶片表面的沉积。本发明的抛光组合物特别适合于硅晶片的精抛光，其优势在于抛光速率快，表面缺陷少，抛光后的硅晶片金属离子污染物少且易于清洗。
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公开(公告)号：CN102127373A
公开(公告)日：2011-07-20
申请号：CN201110002322.6
申请日：2011-01-06
Applicant: 清华大学 , 深圳市力合材料有限公司 , 深圳清华大学研究院
Abstract: 本发明公开了属于半导体硅衬底材料粗抛光用的抛光组合物技术领域的一种高去除低划伤的硅片化学机械抛光组合物及制备方法。该抛光组合物的主体组成成分为二氧化硅溶胶磨料、有机碱、功能助剂为有机硅类稳定剂、有机硅类分散剂、有机酸螯合剂和润湿剂；其中使用的有机硅类的稳定剂和分散剂类，使硅片粗抛光时具有去除速率高以及划伤较少的特点。本发明抛光液去除速率高，多次抛光去除速率稳定；进行大批量抛光时，性能稳定，团聚少，抛光产物在抛光垫上残留少，平均硅片划伤率在3％以内。使用该种抛光液长时间生产性能稳定，产品合格率和生产效率都得到提高。抛光液配置方便、使用简单、成本低廉，可适合半导体行业各种种类和尺寸的硅片粗抛光。
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公开(公告)号：CN113220302B
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202110400944.8
申请日：2021-04-14
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种面向物联网操作系统的代码缺陷静态检测方法和系统，其中检测方法包括：对目标测物联网操作系统的源代码进行编译，得到中间代码；对所述中间代码进行基于路径的别名分析，得到各条中间代码路径中变量间的别名关系，并确定出可能存在的代码缺陷；基于所述别名关系，对每条可能存在的代码缺陷的路径的可达性进行验证，在可能存在的代码缺陷中过滤掉未通过可达性验证的误报代码缺陷，对确定的检测出的代码缺陷生成错误报告。本发明实施例采用静态检测方式，能够覆盖物联网操作系统中的大部分代码。本发明可以方便有效地进行错误检测，提高物联网操作系统的安全性。
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公开(公告)号：CN113220302A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110400944.8
申请日：2021-04-14
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种面向物联网操作系统的代码缺陷静态检测方法和系统，其中检测方法包括：对目标测物联网操作系统的源代码进行编译，得到中间代码；对所述中间代码进行基于路径的别名分析，得到各条中间代码路径中变量间的别名关系，并确定出可能存在的代码缺陷；基于所述别名关系，对每条可能存在的代码缺陷的路径的可达性进行验证，在可能存在的代码缺陷中过滤掉未通过可达性验证的误报代码缺陷，对确定的检测出的代码缺陷生成错误报告。本发明实施例采用静态检测方式，能够覆盖物联网操作系统中的大部分代码。本发明可以方便有效地进行错误检测，提高物联网操作系统的安全性。
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