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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103305964B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201310254373.7
申请日：2013-06-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出了NiO基稀磁半导体纳米纤维及其制备方法，NiO基稀磁半导体纳米纤维掺杂有铁和锂。制备NiO基稀磁半导体纳米纤维的方法包括：配制前驱体溶液，利用前驱体溶液进行静电纺丝，以便得到原丝；以及将原丝进行烧结处理，以便得到NiO基稀磁半导体纳米纤维；其中，前驱体溶液为包含镍元素、铁元素、锂元素和聚乙烯吡咯烷酮的有机溶液。利用该方法可以制备得到一维结构的NiO基稀磁半导体纳米纤维，并且通过掺入铁元素和锂元素可以提高该纳米纤维的室温磁性。
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公开(公告)号：CN103305964A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310254373.7
申请日：2013-06-24
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提出了NiO基稀磁半导体纳米纤维及其制备方法，NiO基稀磁半导体纳米纤维掺杂有铁和锂。制备NiO基稀磁半导体纳米纤维的方法包括：配制前驱体溶液，利用前驱体溶液进行静电纺丝，以便得到原丝；以及将原丝进行烧结处理，以便得到NiO基稀磁半导体纳米纤维；其中，前驱体溶液为包含镍元素、铁元素、锂元素和聚乙烯吡咯烷酮的有机溶液。利用该方法可以制备得到一维结构的NiO基稀磁半导体纳米纤维，并且通过掺入铁元素和锂元素可以提高该纳米纤维的室温磁性。
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公开(公告)号：CN103074576B
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201310044088.2
申请日：2013-02-04
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法。方法一以分析纯的金属硝酸盐为原材料，通过水溶液共沉淀法得到掺杂的ZnO粉体，然后采用固相法烧结得到陶瓷靶材，再通过脉冲激光沉积法(PLD)制备成掺杂的稀磁半导体ZnO薄膜，或者同样以分析纯的金属硝酸盐为原材料，通过溶胶凝胶法，经过配制溶胶——甩胶——热处理的工艺流程，制备成掺杂的ZnO基稀磁半导体薄膜。如此制备的ZnO基薄膜的禁带宽度可以由Mg和Cd的掺杂进行调控，进而调控其铁磁性。掺Co或Mn的ZnO基稀磁薄膜中共掺入Cd可以使带隙减小，薄膜的室温饱和磁化强度增大，而共掺Mg可以使带隙增大，薄膜室温饱和磁化强度减小。
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公开(公告)号：CN103074576A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201310044088.2
申请日：2013-02-04
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种ZnO基稀磁半导体薄膜及其制备方法。方法一以分析纯的金属硝酸盐为原材料，通过水溶液共沉淀法得到掺杂的ZnO粉体，然后采用固相法烧结得到陶瓷靶材，再通过脉冲激光沉积法(PLD)制备成掺杂的稀磁半导体ZnO薄膜，或者同样以分析纯的金属硝酸盐为原材料，通过溶胶凝胶法，经过配制溶胶——甩胶——热处理的工艺流程，制备成掺杂的ZnO基稀磁半导体薄膜。如此制备的ZnO基薄膜的禁带宽度可以由Mg和Cd的掺杂进行调控，进而调控其铁磁性。掺Co或Mn的ZnO基稀磁薄膜中共掺入Cd可以使带隙减小，薄膜的室温饱和磁化强度增大，而共掺Mg可以使带隙增大，薄膜室温饱和磁化强度减小。
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公开(公告)号：CN102601362A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210074632.3
申请日：2012-03-20
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种金属纳米颗粒基热界面材料及其制备方法。该制备方法包括如下步骤：金属纳米颗粒经放电等离子体烧结即得所述热界面材料；所述金属纳米颗粒为银纳米颗粒、铜纳米颗粒或银锡合金纳米颗粒。本发明实现了高导热金属在较低温度下的融合，制备成的热界面材料具有高导热、可靠性好、实验重复性好等特点，能很好地应用到电子封装中的散热，为下一代高功率电子产品的散热提供了很好的解决方案。
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