公开(公告)号：CN101527379B

公开(公告)日：2012-07-25

申请号：CN200910081206.0

申请日：2009-03-30

Applicant: 清华大学

Inventor： 孙长征 ,  周奇伟 ,  熊兵 ,  罗毅

IPC: H01P3/20

Abstract: 一种半导体电吸收调制器封装用微波馈线单元，属于光电子器件中半导体电吸收调制器封装技术领域，其特征在于，在共面波导传输线结构中，在共面波导金属地电极纵轴线两侧，沿纵向开有导通热沉上表面该共面波导金属地电极和下表面金属地电极之间的导通孔，利用导通孔的数量和位置来改变热沉传输的最小谐振峰与传输特性，同时把微波馈线单元沿垂直于该纵轴线方向切割为两部分便于半导体电吸收调制器的封装测试。该半导体电吸收调制器封装用微波馈线单元在60GHz范围内传输特性良好，传输损耗小于0.5dB，没有出现谐振峰现象。

公开(公告)号：CN101527379A

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：CN200910081206.0

申请日：2009-03-30

Applicant: 清华大学

Inventor： 孙长征 ,  周奇伟 ,  熊兵 ,  罗毅

IPC: H01P3/20

Abstract: 一种半导体电吸收调制器封装用微波馈线单元，属于光电子器件中半导体电吸收调制器封装技术领域，其特征在于，在共面波导传输线结构中，在共面波导金属地电极纵轴线两侧，沿纵向开有导通热沉上表面该共面波导金属地电极和下表面金属地电极之间的导通孔，利用导通孔的数量和位置来改变热沉传输的最小谐振峰与传输特性，同时把微波馈线单元沿垂直于该纵轴线方向切割为两部分便于半导体电吸收调制器的封装测试。该半导体电吸收调制器封装用微波馈线单元在60GHz范围内传输特性良好，传输损耗小于0.5dB，没有出现谐振峰现象。