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公开(公告)号：CN117320532A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311277647.4
申请日：2023-09-28
Applicant: 清华大学
IPC: H10N10/852 , H10N10/01 , C01G3/00
Abstract: 本发明公开了一种硒化亚铜基热电材料及其制备方法和应用，该硒化亚铜基热电材料的化学组成为：Cu2‑xSe‑n AgSbF6，其中，0≤x≤0.25，0＜n≤2％。该硒化亚铜基热电材料的功率因子保持在较高水平，热导率较低，同时能够限制铜离子长程迁移，从而具有较高的热电性能和较强的稳定性。
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