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公开(公告)号：CN101376600A
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200810223077.X
申请日：2008-09-26
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种叠层铁电/磁性多铁性磁电复合薄膜及其制备方法。该薄膜包括基片、铁电氧化物层和磁性氧化物层，还包括位于基片层和铁电氧化物层或磁性氧化物层之间的缓冲层；该层可为LaNiO3、YBa2Cu3O7－x或SrRuO3，优选LaNiO3。其制备方法为：1)制备缓冲层溶胶；2)将缓冲层溶胶均匀涂覆于基片上，得到缓冲层；3)分别制备铁电氧化物层和磁性氧化物层的溶胶；4)将步骤3)所得溶胶涂覆在缓冲层之上，即得最终产物。本发明提供的复合薄膜中引入缓冲层之后，有效减小了基片对复合薄膜的应力约束作用，明显增强了层状结构复合薄膜的磁电耦合性能，且成本降低，制备工艺简单，设备要求低，与现有工艺兼容性良好。
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