公开(公告)号：CN106653371B

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201611102215.X

申请日：2016-12-05

Applicant: 深圳清华大学研究院

Inventor： 马清 ,  占旭 ,  陈建军 ,  檀满林 ,  张维丽

IPC: H01G9/042 ,  H01G9/00 ,  H01G9/20

Abstract: 本发明公开了一种基于TiO2的纳米异质结复合光阳极的制备方法，包括步骤：提供一透明导电基体；在透明导电基体制备钛合金薄膜；在具有钛合金薄膜的透明导电基体上制备具有金属掺杂相的TiO2纳米管阵列薄膜的前驱体；对前驱体进行退火晶化，得到具有金属掺杂相和非金属掺杂相的TiO2纳米管阵列薄膜；在所述TiO2纳米管阵列薄膜上负载半导体纳米颗粒，得到基于TiO2的纳米异质结复合光阳极。本发明的基于TiO2的纳米异质结复合光阳极有效地拓展了TiO2的吸收带边，抑制了光生电子与空穴的复合，从而使基于TiO2的纳米异质结复合光阳极具有明显增强的可见光响应性能以及高效的电子传输效率，即具有较高的可见光吸收效率。

公开(公告)号：CN106653371A

公开(公告)日：2017-05-10

申请号：CN201611102215.X

申请日：2016-12-05

Applicant: 深圳清华大学研究院

Inventor： 马清 ,  占旭 ,  陈建军 ,  檀满林 ,  张维丽

IPC: H01G9/042 ,  H01G9/00 ,  H01G9/20

CPC classification number: H01G9/2022 ,  H01G9/0029 ,  H01G9/20 ,  H01G9/2031 ,  H01G2009/0025

Abstract: 本发明公开了一种基于TiO2的纳米异质结复合光阳极，包括透明导电基体、具有金属掺杂相和非金属掺杂相的TiO2纳米管阵列薄膜以及半导体纳米颗粒；TiO2纳米管阵列薄膜生长于透明导电基体表面上；半导体纳米颗粒负载于TiO2纳米管阵列薄膜表面。本发明还公开一种基于TiO2的纳米异质结复合光阳极的制备方法。本发明的基于TiO2的纳米异质结复合光阳极有效地拓展了TiO2的吸收带边，抑制了光生电子与空穴的复合，从而使基于TiO2的纳米异质结复合光阳极具有明显增强的可见光响应性能以及高效的电子传输效率，即具有较高的可见光吸收效率。

公开(公告)号：CN106582641A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201611102213.0

申请日：2016-12-05

Applicant: 深圳清华大学研究院

Inventor： 马清 ,  占旭 ,  檀满林 ,  符冬菊 ,  陈建军

IPC: B01J23/72

CPC classification number: B01J23/72 ,  B01J35/004 ,  B01J35/06

Abstract: 本发明公开了一种基于TiO2的纳米异质结复合光催化材料，包括具有均匀金属掺杂相的TiO2纳米管阵列薄膜和负载于TiO2纳米管表面的半导体纳米颗粒。本发明还公开一种基于TiO2的纳米异质结复合光催化材料的制备方法。本发明的基于TiO2的纳米异质结复合光催化材料有效地拓展了TiO2的吸收带边，抑制了光生电子与空穴的复合，从而使基于TiO2的纳米异质结复合光催化材料具有明显增强的可见光响应性能以及高效的电子传输效率。