交流电压频率的检测方法、装置、设备及介质

    公开(公告)号:CN111175573A

    公开(公告)日:2020-05-19

    申请号:CN202010092288.5

    申请日:2020-02-14

    Abstract: 本发明公开了一种交流电压频率的检测方法,包括:设置系统时钟及采样时钟;接收待测交流电压,根据所述待测交流电压的波形变化触发采样中断,得到两次采样中断之间的采样周期计数值;根据所述采样周期计数值和采样时钟,得到所述待测交流电压的周期和频率。本发明解决了现有技术对交流电压频率进行采样时存在的采样范围受限、准确性较低、成本较高的问题。

    芯片程序的升级方法、装置及存储介质

    公开(公告)号:CN111309364A

    公开(公告)日:2020-06-19

    申请号:CN202010390739.3

    申请日:2020-05-11

    Abstract: 本发明提供一种种芯片程序的升级方法,包括:根据嵌入式单片机中FLSAH存储器所划分的区域创建待升级程序的烧录文件,所述烧录文件中包括待升级程序及其在嵌入式单片机中的起始地址;在进行程序升级时,接收上位机根据所述烧录文件发送的起始地址、待升级程序,并按照所述起始地址保存所述待升级程序;当所述待升级程序为引导程序时,在所述待升级程序接收完后,接收上位机根据所述烧录文件发送的校验指令;根据所述校验指令对所述待升级程序进行校验,并在校验通过后,将所述起始地址上的待升级程序写入FLASH存储器的指定区域。本发明解决了现有技术不支持引导程序自升级、无法灵活写入应用程序问题。

    数据写入方法、装置、计算机设备及存储介质

    公开(公告)号:CN111290973A

    公开(公告)日:2020-06-16

    申请号:CN202010390737.4

    申请日:2020-05-11

    Abstract: 本发明提供一种数据写入方法,包括:从RAM内存中划分出预设大小的区间构建映射内存;获取待写入数据,根据所述待写入数据更新写操作队列,以及将所述待写入数据预存至所述映射内存中;监测传输总线的运行状态,并在传输总线空闲时,根据所述写操作队列将所述映射内存中的待写入数据写入目标存储器中。本发明通过设置映射内存替代原有的EEPROM存储器向芯片写入数据,避免现有技术通过EEPROM一直向目标存储器写入数据,可在传输总线空闲时写入,有效地解决了多字节数据写入过程中产生的堵塞程序运行的问题,提高了MCU利用率及EEPROM的读取速度。

    芯片程序的升级方法、装置及存储介质

    公开(公告)号:CN111309364B

    公开(公告)日:2020-10-27

    申请号:CN202010390739.3

    申请日:2020-05-11

    Abstract: 本发明提供一种种芯片程序的升级方法,包括:根据嵌入式单片机中FLSAH存储器所划分的区域创建待升级程序的烧录文件,所述烧录文件中包括待升级程序及其在嵌入式单片机中的起始地址;在进行程序升级时,接收上位机根据所述烧录文件发送的起始地址、待升级程序,并按照所述起始地址保存所述待升级程序;当所述待升级程序为引导程序时,在所述待升级程序接收完后,接收上位机根据所述烧录文件发送的校验指令;根据所述校验指令对所述待升级程序进行校验,并在校验通过后,将所述起始地址上的待升级程序写入FLASH存储器的指定区域。本发明解决了现有技术不支持引导程序自升级、无法灵活写入应用程序问题。

    数据写入方法、装置、计算机设备及存储介质

    公开(公告)号:CN111290973B

    公开(公告)日:2020-11-27

    申请号:CN202010390737.4

    申请日:2020-05-11

    Abstract: 本发明提供一种数据写入方法,包括:从RAM内存中划分出预设大小的区间构建映射内存;获取待写入数据,根据所述待写入数据更新写操作队列,以及将所述待写入数据预存至所述映射内存中;监测传输总线的运行状态,并在传输总线空闲时,根据所述写操作队列将所述映射内存中的待写入数据写入目标存储器中。本发明通过设置映射内存替代原有的EEPROM存储器向芯片写入数据,避免现有技术通过EEPROM一直向目标存储器写入数据,可在传输总线空闲时写入,有效地解决了多字节数据写入过程中产生的堵塞程序运行的问题,提高了MCU利用率及EEPROM的读取速度。

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