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公开(公告)号：CN114720982A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210444524.4
申请日：2022-04-26
申请人： 深圳市电科智能科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种改善毫米波成像系统成像质量的方法，涉及毫米波成像系统技术领域。所述方法包括如下步骤：在毫米波成像系统进行校准时，将校准板分别放置在毫米波成像系统的探测部前方多个不同距离的位置上进行测量，所述毫米波成像系统获得多个校准数据，通过测试并保存多个校准数据；所述毫米波成像系统自动调用所有的校准数据，并根据每个校准数据依据图像重建算法分别对被测物体的图像进行重建，对重建后的所有图像计算其对比度，选取最大对比度的毫米波图像作为被测物体的探测图像进行显示。所述方法能够改善毫米波成像系统成像质量，进而提高成像清晰度。
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公开(公告)号：CN113776468A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202111086871.6
申请日：2021-09-16
申请人： 深圳市电科智能科技有限公司
IPC分类号： G01B15/02
摘要： 本发明公开了一种太赫兹膜厚测试仪，涉及太赫兹测试系统技术领域。所述测试仪包括太赫兹时域系统主机和测试探头，所述测试探头包括膜厚测试探头模块和MEMS姿态传感器，所述膜厚测试探头模块与所述主体双向连接，用于向被测物体发射太赫兹脉冲并接收被测物体不同界面反射的太赫兹脉冲，所述MEMS姿态传感器与所述主机双向连接，用于检测所述测试探头与被测物体之间的角度，所述主体根据接受到的太赫兹脉冲与发射的太赫脉冲之间的时间差以及测试探头与被测物体之间的角度计算出所述被测物体表面膜的厚度。本申请所述测试仪最多支持同时测量3层膜厚，且测量精度可达0.1微米，并能实现与被测物体之间的大角度测量。
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公开(公告)号：CN113451420A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110837002.6
申请日：2021-07-23
申请人： 深圳市电科智能科技有限公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L23/49
摘要： 本发明公开了一种中心对称GaN肖特基二极管，涉及太赫兹器件技术领域。所述二极管包括位于中间的第一焊盘以及位于第一焊盘两侧的第二焊盘，其中所述第一焊盘与左侧的第二焊盘之间形成有一个肖特基二极管结，所述第一焊盘与右侧的第二焊盘之间形成有一个肖特基二极管结，所述第一焊盘的上表面的中心形成有一条外端悬空的梁式引线，所述梁式引线的悬空部分的长度相等。所述二极管能够提高使用良率的中心对称GaN肖特基二极管。
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公开(公告)号：CN114839630A
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210444523.X
申请日：2022-04-26
申请人： 深圳市电科智能科技有限公司
摘要： 本发明公开了一种具有极高性价比的毫米波成像系统，涉及毫米波成像系统技术领域。所述成像系统包括FPGA模块，频率源模块、收发模块和开关模块。采用毫米波开关进行切换，其中毫米波开关和单发单收的信号源模块构成毫米波收发开关阵列，阵列采用32个发射和32个接收的方式构成。通过32路毫米波信号的发射和接收，对待测目标和物体进行探测。通过使用单发单收的信号源模块，可以大幅度降低毫米波成像系统的成本，同时保持良好的成像质量。
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公开(公告)号：CN113451418A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110836305.6
申请日：2021-07-23
申请人： 深圳市电科智能科技有限公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L23/49
摘要： 本发明公开了一种中心对称SiC基GaN肖特基二极管，涉及太赫兹器件技术领域。所述二极管包括位于中间的第一焊盘以及位于第一焊盘两侧的第二焊盘，其中所述第一焊盘与左侧的第二焊盘之间形成有一个肖特基二极管结，所述第一焊盘与右侧的第二焊盘之间形成有一个肖特基二极管结，所述第一焊盘的上表面的中心形成有一条外端悬空的梁式引线，所述梁式引线的悬空部分的长度相等。所述二极管能够提高使用良率且散热性好、可靠性高。
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公开(公告)号：CN113451421A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110837039.9
申请日：2021-07-23
申请人： 深圳市电科智能科技有限公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L23/49
摘要： 本发明公开了一种中心对称双排GaN肖特基二极管，涉及太赫兹器件技术领域。所述二极管包括位于中间的第一焊盘以及位于第一焊盘两侧的第二焊盘，其中所述第一焊盘与左侧的第二焊盘之间形成有两个肖特基二极管结，所述第一焊盘与右侧的第二焊盘之间形成有两个肖特基二极管结，所述第一焊盘的上表面的中心形成有一条外端悬空的梁式引线，所述梁式引线的悬空部分的长度相等，所述二极管能够提高使用良率。
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公开(公告)号：CN113809173A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202111087348.5
申请日：2021-09-16
申请人： 深圳市电科智能科技有限公司
IPC分类号： H01L29/778
摘要： 本发明公开了一种毫米波开关芯片，SiC衬底的上表面形成有AlN缓冲层，所述AlN缓冲层的上表面形成有第一GaN层，通过背栅槽使得部分第一GaN层的下表面露出，所述第一GaN层的下表面的裸露部分形成有背栅；所述第一GaN层上表面的左侧形成有源极欧姆接触层，所述第一GaN层上表面的右侧形成有漏极欧姆接触层，所述源极欧姆接触层与所述漏极欧姆接触层之间的第一GaN层的上表面从下到上形成有第一AlGaN层、第二GaN层以及第二AlGaN层，所述源极欧姆接触层的上表面形成有源极，所述漏极欧姆接触层的上表面形成有漏极，所述第二AlGaN层的上表面形成有顶栅。所述芯片具有开关频率速度高等优点。
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公开(公告)号：CN113451419A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110836322.X
申请日：2021-07-23
申请人： 深圳市电科智能科技有限公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L23/49
摘要： 本发明公开了一种中心对称双排SiC基GaN肖特基二极管，涉及太赫兹器件技术领域。所述二极管包括位于中间的第一焊盘以及位于第一焊盘两侧的第二焊盘，其中所述第一焊盘与左侧的第二焊盘之间形成有两个肖特基二极管结，所述第一焊盘与右侧的第二焊盘之间形成有两个肖特基二极管结，所述第一焊盘的上表面的中心形成有一条外端悬空的梁式引线，所述梁式引线的悬空部分的长度相等。所述二极管能够提高使用良率，由于所述二极管采用了双排肖特基结的结构，可以提升对输入功率的耐功率特性并可以增加输出功率。
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公开(公告)号：CN215988771U
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202122247132.2
申请日：2021-09-16
申请人： 深圳市电科智能科技有限公司
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/423
摘要： 本实用新型公开了一种毫米波开关芯片，SiC衬底的上表面形成有AlN缓冲层，所述AlN缓冲层的上表面形成有第一GaN层，通过背栅槽使得部分第一GaN层的下表面露出，所述第一GaN层的下表面的裸露部分形成有背栅；所述第一GaN层上表面的左侧形成有源极欧姆接触层，所述第一GaN层上表面的右侧形成有漏极欧姆接触层，所述源极欧姆接触层与所述漏极欧姆接触层之间的第一GaN层的上表面从下到上形成有第一AlGaN层、第二GaN层以及第二AlGaN层，所述源极欧姆接触层的上表面形成有源极，所述漏极欧姆接触层的上表面形成有漏极，所述第二AlGaN层的上表面形成有顶栅。所述芯片具有开关频率速度高等优点。
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公开(公告)号：CN215815889U
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202121686764.2
申请日：2021-07-23
申请人： 深圳市电科智能科技有限公司
IPC分类号： H01L29/872 , H01L29/06 , H01L23/488
摘要： 本实用新型公开了一种中心对称Si基GaN肖特基二极管，涉及太赫兹器件技术领域。所述二极管包括位于中间的第一焊盘以及位于第一焊盘两侧的第二焊盘，其中所述第一焊盘与左侧的第二焊盘之间形成有一个肖特基二极管结，所述第一焊盘与右侧的第二焊盘之间形成有一个肖特基二极管结，所述第一焊盘的上表面的中心形成有一条外端悬空的梁式引线，所述梁式引线的悬空部分的长度相等。所述二极管能够提高使用良率的且价格低，易于产业化。
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