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公开(公告)号：CN106302231A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510239627.7
申请日：2015-05-12
申请人： 深圳市中兴微电子技术有限公司
IPC分类号： H04L12/815
摘要： 本发明实施例公开了一种数据流队列整形的方法，包括：根据每个数据流队列的原始权重值，通过权重压缩规则得到所述每个数据流队列的新权重值；根据所述数据流队列的新权重值之和，确定在每次服务中为所述每个数据流队列下发第一数量的令牌；根据所述数据流队列的新权重值，通过拥塞管理算法确定所述每个数据流队列的服务次数；按照下发令牌规则，在每次服务中为所述每个数据流队列下发所对应的第二数量的令牌。本发明实施例还同时公开了一种数据流队列整形的装置。
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公开(公告)号：CN107526691B
公开(公告)日：2020-06-02
申请号：CN201610454789.7
申请日：2016-06-21
申请人： 深圳市中兴微电子技术有限公司
IPC分类号： G06F12/0893
摘要： 本发明公开了一种缓存管理方法，包括：为接收到的报文分配至少一个第一存储块，以存储所述报文；所述第一存储块包含N个存储单元；N为大于等于2的整数；基于分配的第一存储块地址以及报文所占据的存储单元在第一存储块中的位置，生成第一映射关系表；所述第一映射关系表征所述报文的存储地址映射关系；为分配的每个第一存储块，确定其所属的第二存储块；所述第二存储块包含M个第一存储块；M为大于等于2的整数；利用所述的第二存储块的地址及第一存储块在第二存储块中的位置，生成第二映射关系表；所述第二映射关系表表征存储所述报文的第一存储块地址映射关系。本发明同时还公开了一种缓存管理装置。
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公开(公告)号：CN106302231B
公开(公告)日：2019-06-28
申请号：CN201510239627.7
申请日：2015-05-12
申请人： 深圳市中兴微电子技术有限公司
IPC分类号： H04L12/815
摘要： 本发明实施例公开了一种数据流队列整形的方法，包括：根据每个数据流队列的原始权重值，通过权重压缩规则得到所述每个数据流队列的新权重值；根据所述数据流队列的新权重值之和，确定在每次服务中为所述每个数据流队列下发第一数量的令牌；根据所述数据流队列的新权重值，通过拥塞管理算法确定所述每个数据流队列的服务次数；按照下发令牌规则，在每次服务中为所述每个数据流队列下发所对应的第二数量的令牌。本发明实施例还同时公开了一种数据流队列整形的装置。
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公开(公告)号：CN107526691A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201610454789.7
申请日：2016-06-21
申请人： 深圳市中兴微电子技术有限公司
IPC分类号： G06F12/0893
摘要： 本发明公开了一种缓存管理方法，包括：为接收到的报文分配至少一个第一存储块，以存储所述报文；所述第一存储块包含N个存储单元；N为大于等于2的整数；基于分配的第一存储块地址以及报文所占据的存储单元在第一存储块中的位置，生成第一映射关系表；所述第一映射关系表征所述报文的存储地址映射关系；为分配的每个第一存储块，确定其所属的第二存储块；所述第二存储块包含M个第一存储块；M为大于等于2的整数；利用所述的第二存储块的地址及第一存储块在第二存储块中的位置，生成第二映射关系表；所述第二映射关系表表征存储所述报文的第一存储块地址映射关系。本发明同时还公开了一种缓存管理装置。
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公开(公告)号：CN106445831A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201510489873.8
申请日：2015-08-11
申请人： 深圳市中兴微电子技术有限公司
摘要： 本发明实施例公开了一种存储单元，所述存储单元包括至少一个单比特存储结构；每个单比特存储结构包括四个随机存取存储器RAM，分别为第一RAM、第二RAM、第三RAM和第四RAM；两个读出端口分别为第一读出端口和第二读出端口；两个写入端口，分别为第一写入端口和第二写入端口；其中，第一读出端口分别与第一RAM和第二RAM连接，用于读取第一RAM和第二RAM中存储的数据；第二读出端口分别与第三RAM和第四RAM连接，用于读取第三RAM和第四RAM中存储的数据；第一写入端口分别与第一RAM和第三RAM连接，用于向第一RAM和第三RAM写入数据；第二写入端口分别与第二RAM和第四RAM连接，用于向第二RAM和第四RAM写入数据。同时，本发明实施例还公开了一种处理系统。
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公开(公告)号：CN109660468B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201710949225.5
申请日：2017-10-12
申请人： 深圳市中兴微电子技术有限公司
摘要： 本发明实施例提供了一种端口拥塞管理方法，所述方法包括：检测端口的剩余缓存资源的大小，所述端口的剩余缓存资源用于表示端口的所有缓存资源中除去被占用缓存资源外的缓存资源；当所述端口的剩余缓存资源增大时，控制增大所述端口的每个队列的拥塞丢弃门限；当所述端口的剩余缓存资源减小时，控制降低所述端口的每个队列的拥塞丢弃门限；根据所述每个队列的变更后的拥塞丢弃门限，对所述每个队列中的报文进行处理。本发明实施例还公开了一种端口拥塞管理装置、设备和计算机可读存储介质。
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公开(公告)号：CN109660468A
公开(公告)日：2019-04-19
申请号：CN201710949225.5
申请日：2017-10-12
申请人： 深圳市中兴微电子技术有限公司
IPC分类号： H04L12/823 , H04L12/835 , H04L12/813
摘要： 本发明实施例提供了一种端口拥塞管理方法，所述方法包括：检测端口的剩余缓存资源的大小，所述端口的剩余缓存资源用于表示端口的所有缓存资源中除去被占用缓存资源外的缓存资源；当所述端口的剩余缓存资源增大时，控制增大所述端口的每个队列的拥塞丢弃门限；当所述端口的剩余缓存资源减小时，控制降低所述端口的每个队列的拥塞丢弃门限；根据所述每个队列的变更后的拥塞丢弃门限，对所述每个队列中的报文进行处理。本发明实施例还公开了一种端口拥塞管理装置、设备和计算机可读存储介质。
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公开(公告)号：CN108664211A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201710209656.8
申请日：2017-03-31
申请人： 深圳市中兴微电子技术有限公司
IPC分类号： G06F3/06
CPC分类号： G06F3/0613 , G06F3/0656 , G06F3/0679
摘要： 本文公开了一种实现数据读写的方法及装置；上述装置包括：哈希模块，用于对收到的数据读出指令或数据写入指令携带的第一地址进行哈希计算；处理模块，用于根据哈希计算的结果，在内部缓存或者外部缓存进行数据读出操作，或者，在内部缓存或外部缓存进行数据写入操作。上述方案通过在数据读写时结合使用内部缓存和外部缓存，从而在保证缓存大容量的情况下，提高传输带宽。
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公开(公告)号：CN106302239A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201510271664.6
申请日：2015-05-25
申请人： 深圳市中兴微电子技术有限公司
IPC分类号： H04L12/861 , H04L12/865
摘要： 本发明公开了一种单组播流量调度管理的方法，接收到报文后，根据报文头中的报文类型对所述报文进行分队列缓存；其中，所述报文类型包括单播报文和组播报文；将缓存的组播报文经过组播调度处理后生成调度组播报文；将所述调度组播报文与缓存的单播报文按照优先级和预设的权重分配进行出列调度。
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