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公开(公告)号:CN116693581B
公开(公告)日:2024-06-18
申请号:CN202310587613.9
申请日:2023-05-23
申请人: 深圳中农秸美科技股份有限公司
摘要: 本发明属于光催化材料技术领域,具体涉及一种光催化解聚木质素的方法。反应溶剂乙腈加入在反应器中,并加入过渡金属掺杂缺陷型g‑C3N4光催化剂、木质素反应底物,在可见光源激发下,进行木质素反应底物的氧化裂解。本发明的催化体系使木质素温和条件下同时实现C‑C和C‑O键的断裂,并提高芳烃类产物的生成效率。
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公开(公告)号:CN116693581A
公开(公告)日:2023-09-05
申请号:CN202310587613.9
申请日:2023-05-23
申请人: 深圳中农秸美科技股份有限公司 , 齐鲁工业大学(山东省科学院)
摘要: 本发明属于光催化材料技术领域,具体涉及一种光催化解聚木质素的方法。反应溶剂乙腈加入在反应器中,并加入过渡金属掺杂缺陷型g‑C3N4光催化剂、木质素反应底物,在可见光源激发下,进行木质素反应底物的氧化裂解。本发明的催化体系使木质素温和条件下同时实现C‑C和C‑O键的断裂,并提高芳烃类产物的生成效率。
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公开(公告)号:CN116689008B
公开(公告)日:2024-05-28
申请号:CN202310566911.X
申请日:2023-05-18
申请人: 深圳中农秸美科技股份有限公司
摘要: 本发明公布了一种用于木质素氧化解聚的过渡金属掺杂缺陷型g‑C3N4光催化材料的制备方法。首先将三聚氰胺和可溶性过渡金属盐按比例混合均匀,经过酸化处理后将混合物干燥煅烧,得到过渡金属掺杂富C缺陷g‑C3N4。本发明利用酸蚀和热剥离双重作用,得到比表面积更大、层状结构分明的缺陷型g‑C3N4,继而将过渡金属原子稳定嵌于酸刻蚀留下的C空位中,有效拓宽了催化材料的光响应范围及催化活性,材料制备简单、成本可控,可在温和条件下实现木质素中C‑O及顽固C‑C键的氧化解聚。
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公开(公告)号:CN116689008A
公开(公告)日:2023-09-05
申请号:CN202310566911.X
申请日:2023-05-18
申请人: 深圳中农秸美科技股份有限公司 , 齐鲁工业大学(山东省科学院)
摘要: 本发明公布了一种用于木质素氧化解聚的过渡金属掺杂缺陷型g‑C3N4光催化材料的制备方法。首先将三聚氰胺和可溶性过渡金属盐按比例混合均匀,经过酸化处理后将混合物干燥煅烧,得到过渡金属掺杂富C缺陷g‑C3N4。本发明利用酸蚀和热剥离双重作用,得到比表面积更大、层状结构分明的缺陷型g‑C3N4,继而将过渡金属原子稳定嵌于酸刻蚀留下的C空位中,有效拓宽了催化材料的光响应范围及催化活性,材料制备简单、成本可控,可在温和条件下实现木质素中C‑O及顽固C‑C键的氧化解聚。
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