公开(公告)号：CN114264869B

公开(公告)日：2024-03-22

申请号：CN202111489393.3

申请日：2021-12-08

Applicant: 海速芯(杭州)科技有限公司 ,  深圳海速芯业科技有限公司 ,  无锡市海速芯业电子科技有限公司

Inventor： 袁中平 ,  郑明德 ,  邹伯均

IPC: G01R19/165

Abstract: 本发明公开了EFT侦测装置与方法，包括三组反相器和电容C1，三组反相器包括反相器I1模块、反相器I2模块和反相器I3模块；反相器I1模块用于使其自身输入端与输出端短路，并输出电压Va；反相器I2模块用于判断在EFT干扰发生时，输出电压Va与反相器I2模块中阈值电压的关系，以及反相器I2模块输出电压DH的变化情况；反相器I3模块用于判断在EFT干扰发生时，输出电压Va与反相器I3模块中阈值电压的关系，以及反相器I3模块输出电压DL的变化情况；该发明EFT侦测装置与方法整合三组反相器于单一IC芯片中，在芯片遭受EFT干扰时，该装置能够快速反应，通知芯片启动保护措施，避免后续误动作。

公开(公告)号：CN114264869A

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202111489393.3

申请日：2021-12-08

Applicant: 海速芯(杭州)科技有限公司 ,  十速兴业科技(深圳)有限公司 ,  无锡市海速芯业电子科技有限公司

Inventor： 袁中平 ,  郑明德 ,  邹伯均

IPC: G01R19/165

Abstract: 本发明公开了EFT侦测装置与方法，包括三组反相器和电容C1，三组反相器包括反相器I1模块、反相器I2模块和反相器I3模块；反相器I1模块用于使其自身输入端与输出端短路，并输出电压Va；反相器I2模块用于判断在EFT干扰发生时，输出电压Va与反相器I2模块中阈值电压的关系，以及反相器I2模块输出电压DH的变化情况；反相器I3模块用于判断在EFT干扰发生时，输出电压Va与反相器I3模块中阈值电压的关系，以及反相器I3模块输出电压DL的变化情况；该发明EFT侦测装置与方法整合三组反相器于单一IC芯片中，在芯片遭受EFT干扰时，该装置能够快速反应，通知芯片启动保护措施，避免后续误动作。