公开(公告)号：CN105355451A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201510814703.2

申请日：2015-11-23

Applicant: 海安南京大学高新技术研究院

Inventor： 潘冠军 ,  孙敏 ,  蔡云鹏 ,  孟祥康 ,  唐少春

IPC: H01G11/24 ,  H01G11/44 ,  H01G11/86

CPC classification number: Y02E60/13

Abstract: 本发明公开了一种氧化钴纳米片超级电容器电极材料的制备方法。该方法原料相对廉价，成本较低；反应条件相对温和，工艺可控性强，易操作；该方法制备的多孔氧化锆纳米片具有较大的比表面积，与较高的比电容值，作为电极材料具有良好的电化学性能。可应用在超级电容器等研究领域。

公开(公告)号：CN105321732A

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201510813517.7

申请日：2015-11-23

Applicant: 海安南京大学高新技术研究院

Inventor： 潘冠军 ,  孙敏 ,  蔡云鹏 ,  唐少春 ,  孟祥康

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/30 ,  H01G11/24

CPC classification number: Y02E60/13

Abstract: 本发明公开了一种Ag掺杂β-Co(OH)2超级电容器电极材料。该材料制作方法成本较低，工艺简单，通过掺杂贵金属Ag，大大的提高了材料的导电性能，所得产物尺寸均匀，形貌单一，直径在2μm左右，复合物表面有裂缝的生成，这有利于电解液的扩散，从而提高材料的比电容，同时产物具有较大的比表面积，使其作为电极材料时具有良好的电化学性能。本发明Ag掺杂β-Co(OH)2微米花作为电极材料应用于超级电容器中，可令其具有良好的稳定性与优异的电容量。

公开(公告)号：CN105321732B

公开(公告)日：2018-03-06

申请号：CN201510813517.7

申请日：2015-11-23

Applicant: 海安南京大学高新技术研究院

Inventor： 潘冠军 ,  孙敏 ,  蔡云鹏 ,  唐少春 ,  孟祥康

IPC: H01G11/86 ,  H01G11/30 ,  H01G11/24

CPC classification number: Y02E60/13

Abstract: 本发明公开了一种Ag掺杂β‑Co(OH)2超级电容器电极材料的制备方法。该方法成本较低，工艺简单，通过掺杂贵金属Ag，大大的提高了材料的导电性能，所得产物尺寸均匀，形貌单一，直径在2μm左右，复合物表面有裂缝的生成，这有利于电解液的扩散，从而提高材料的比电容，同时产物具有较大的比表面积，使其作为电极材料时具有良好的电化学性能。本发明Ag掺杂β‑Co(OH)2微米花作为电极材料应用于超级电容器中，可令其具有良好的稳定性与优异的电容量。