公开(公告)号：CN119812128A

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202411885133.1

申请日：2024-12-19

Applicant: 海光信息技术股份有限公司

Inventor： 余聪

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L23/04 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L25/16 ,  G06F30/392

Abstract: 本申请实施例提供了一种芯片封装结构、方法、散热盖加工方法及电子设备，所述芯片封装结构包括：封装基板；多类芯片；多类凸点结构，同类芯片通过同类凸点结构连接封装基板；多类芯片采用多类凸点结构连接封装基板之后形成封装高度差，芯片的封装高度为芯片采用凸点结构连接封装基板之后，芯片的顶面与封装基板的顶面之间的高度；散热盖，所述散热盖包括高度差补偿结构，用于补偿多类芯片形成的封装高度差，以使多类芯片均与所述散热盖相接触；其中，多类芯片中存在高度基准芯片，所述高度差补偿结构的布局根据所述多类芯片中的其他芯片相对于高度基准芯片的封装高度差确定。本申请实施例提供的芯片封装结构提高了芯片封装的灵活性。