公开(公告)号：CN111833948A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010686289.2

申请日：2020-07-16

Applicant: 浪潮(北京)电子信息产业有限公司

Inventor： 王敏 ,  张闯 ,  孙颉

IPC: G11C16/16 ,  G11C29/10

Abstract: 本申请公开了一种NAND闪存的擦写能力测试方法、装置、电子设备及计算机可读存储介质，该方法包括：确定NAND闪存中参加擦写能力测试的块分组信息，块分组信息包括分组总数以及各分组的块总数；根据各分组的块总数分别确定各分组包含的块的编号；根据NAND闪存的块擦写承受阈值，分别为各分组确定一一对应的目标擦写次数；目标擦写次数大于块擦写承受阈值的分组数量不小于预设数量；分别对各分组包含的块进行对应次数的擦写操作；分别生成与各目标擦写次数对应的擦写能力测试结果。本申请对不同分组的块进行不同次数的擦写和错误率统计，不仅保障了结果正确率，并且可获取NAND闪存的擦写能力特性，全面客观地进行擦写能力评估。

公开(公告)号：CN112256462B

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202011181557.1

申请日：2020-10-29

Applicant: 浪潮(北京)电子信息产业有限公司

Inventor： 王敏 ,  张闯 ,  任智新

IPC: G06F11/00

Abstract: 本申请公开了一种NAND Flash存储器的寿命预估方法、装置及计算机可读存储介质。其中，方法包括基于块筛选条件从待估NAND Flash存储器中选择多个不为坏块的目标块，各目标块均匀分布在block表中且奇数块和偶数块的数量差不超过预设数量阈值。按照数据写入规则将数据写入各目标块，计算待估NAND Flash存储器的块初始错误率值。对待估NAND Flash存储器进行高温处理，按照数据写入规则将数据写入经过每一次阶梯温度处理后的各目标块中，同时计算各梯度温度对应的块实时错误率值。根据块初始错误率值和各块实时错误率值估计待估NAND Flash存储器的寿命，有效提高块错误率计算准确度，为精准估计NANA Flash的寿命提供可靠数据支持。

公开(公告)号：CN112256462A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN202011181557.1

申请日：2020-10-29

Applicant: 浪潮(北京)电子信息产业有限公司

Inventor： 王敏 ,  张闯 ,  任智新

IPC: G06F11/00

Abstract: 本申请公开了一种NAND Flash存储器的寿命预估方法、装置及计算机可读存储介质。其中，方法包括基于块筛选条件从待估NAND Flash存储器中选择多个不为坏块的目标块，各目标块均匀分布在block表中且奇数块和偶数块的数量差不超过预设数量阈值。按照数据写入规则将数据写入各目标块，计算待估NAND Flash存储器的块初始错误率值。对待估NAND Flash存储器进行高温处理，按照数据写入规则将数据写入经过每一次阶梯温度处理后的各目标块中，同时计算各梯度温度对应的块实时错误率值。根据块初始错误率值和各块实时错误率值估计待估NAND Flash存储器的寿命，有效提高块错误率计算准确度，为精准估计NANA Flash的寿命提供可靠数据支持。