公开(公告)号：CN104409630A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201410706693.6

申请日：2014-11-27

Applicant: 浙江理工大学

Inventor： 李培刚 ,  郭道友 ,  安跃华 ,  吴真平 ,  唐为华 ,  汪鹏超 ,  王顺利 ,  朱志艳

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于氧化镓薄膜的单极型阻变存储器。本发明由下电极、阻变层和上电极构成，具体是指以Pt/Ti/SiO2/Si衬底为下电极，采用激光脉冲沉积的方法在衬底上生长非晶氧化镓薄膜作为阻变层，再通过磁控溅射的方法溅射直径为200μm的Pt点电极作为上电极，制备得到的Pt/Ga2O3-x/Pt三明治结构。本发明的优点：制备过程简单，工艺可控性强，易操作，所得薄膜表面致密、厚度稳定均一、结构连续，制备的氧化镓薄膜单极型阻变存储器，具有高低阻值比大、保持性能好、存储密度高、易读取等优势。本发明制备的氧化镓薄膜单极型阻变存储器在非易失性存储领域具有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN102343439A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110298449.7

申请日：2011-09-30

Applicant: 浙江理工大学

Inventor： 李培刚 ,  安跃华 ,  申婧翔 ,  张媛 ,  王顺利 ,  唐为华

IPC: B22F9/04 ,  B82Y40/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种纳米粒子的制备方法，具体是指一种制备金纳米粒子的方法。本发明是利用纯物理的方法，先制备好一定尺寸的本征硅片和一定浓度的SDS溶液，然后旋涂法把SDS旋涂于本征硅片上，再在涂好SDS的硅片上用磁控溅射法镀一层金(Au)薄膜。进行超声制成纳米颗粒，最后进行离心分离。本发明的优越性：与传统工艺相比更加清洁、便捷、环保。

公开(公告)号：CN105742398B

公开(公告)日：2017-09-26

申请号：CN201610157070.7

申请日：2016-03-18

Applicant: 浙江理工大学

Inventor： 王顺利 ,  安跃华 ,  郭道友 ,  李培刚 ,  钱银平 ,  王坤 ,  唐为华

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及一种紫外探测器，具体是指一种基于β‑Ga2O3/SiC异质结薄膜的日盲型紫外探测器及其制备方法。本发明是通过激光分子束外延技术在n型6H‑SiC衬底上沉积一层β‑Ga2O3薄膜，然后利用掩膜版并通过射频磁控溅射技术在n型6H‑SiC衬底和β‑Ga2O3薄膜上沉积一层Ti/Au薄膜作为电极使用。本发明的优点是：所制备的日盲型紫外探测器性能稳定，反应灵敏，暗电流小，具有好的潜在应用；另外，该制备方法具有工艺可控性强，操作简单，普适性好，且重复测试具有可恢复性等特点，具有很大的应用前景。

公开(公告)号：CN105742398A

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201610157070.7

申请日：2016-03-18

Applicant: 浙江理工大学

Inventor： 王顺利 ,  安跃华 ,  郭道友 ,  李培刚 ,  钱银平 ,  王坤 ,  唐为华

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521 ,  H01L31/109 ,  H01L31/18 ,  H01L31/1812

Abstract: 本发明涉及一种紫外探测器，具体是指一种基于β?Ga2O3/SiC异质结薄膜的日盲型紫外探测器及其制备方法。本发明是通过激光分子束外延技术在n型6H?SiC衬底上沉积一层β?Ga2O3薄膜，然后利用掩膜版并通过射频磁控溅射技术在n型6H?SiC衬底和β?Ga2O3薄膜上沉积一层Ti/Au薄膜作为电极使用。本发明的优点是：所制备的日盲型紫外探测器性能稳定，反应灵敏，暗电流小，具有好的潜在应用；另外，该制备方法具有工艺可控性强，操作简单，普适性好，且重复测试具有可恢复性等特点，具有很大的应用前景。