公开(公告)号：CN115249761A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202111655972.0

申请日：2021-12-30

申请人： 浙江理工大学

发明人： 高海淇 ,  林宇昊 ,  张云波 ,  吴小平 ,  王朋 ,  何炎冰 ,  胡启航 ,  王文航

IPC分类号： H01L35/10 ,  H01L35/04 ,  H01L35/28

摘要： 本发明涉及一种热电器件，P型半导体的上端与N型半导体的上端通过上电极连接，上电极包括中间部和两端部，两端部分别凹入P型半导体的上端与N型半导体的上端；中间连接部设置在环形结构内部并连接环形结构的相对的两端。通过上述的设置，可以使电极直接凹入半导体内，进而使器件薄型化。且采用端部为环形结构，可以使半导体的端部直接漏出，使半导体端部直接与热源或冷源接触，进而提高热电转换效果；此外在环形中间设置连接环形结构相对的两端得到中间连接部，可以避免环形结构易损坏的缺点，提高电极结构的稳固性。