具有防断栅功能的晶硅太阳能电池的正电极

    公开(公告)号:CN109037363A

    公开(公告)日:2018-12-18

    申请号:CN201810816451.0

    申请日:2018-07-24

    摘要: 本发明公开了具有防断栅功能的晶硅太阳能电池的正电极,包括正电极主栅、正电极细栅和防断栅结构,所述的防断栅结构和正电极细栅一体印刷成型,所述的防断栅结构为背面开设有镂空槽的八边形,防断栅结构由位于中部的矩形栅段以及位于矩形栅段两侧的且以矩形栅段为中心对称设置的两段等腰梯形栅段组成,所述的矩形栅段横跨正电极主栅,且矩形栅段左右两端伸出正电极主栅之外,伸出的栅段为矩形的外延防断栅段,所述的等腰梯形栅段的两端分别与外延防断栅段和正电极细栅相接触,所述的镂空槽位于等腰梯形栅段内或者横跨外延防断栅段与等腰梯形栅段。该正电极中的防断栅设计采用八边形和镂空槽相结合,可以有效降低正面电极印刷时断栅的几率。

    具有防断栅功能的晶硅太阳能电池的正电极

    公开(公告)号:CN109037363B

    公开(公告)日:2024-07-26

    申请号:CN201810816451.0

    申请日:2018-07-24

    摘要: 本发明公开了具有防断栅功能的晶硅太阳能电池的正电极,包括正电极主栅、正电极细栅和防断栅结构,所述的防断栅结构和正电极细栅一体印刷成型,所述的防断栅结构为背面开设有镂空槽的八边形,防断栅结构由位于中部的矩形栅段以及位于矩形栅段两侧的且以矩形栅段为中心对称设置的两段等腰梯形栅段组成,所述的矩形栅段横跨正电极主栅,且矩形栅段左右两端伸出正电极主栅之外,伸出的栅段为矩形的外延防断栅段,所述的等腰梯形栅段的两端分别与外延防断栅段和正电极细栅相接触,所述的镂空槽位于等腰梯形栅段内或者横跨外延防断栅段与等腰梯形栅段。该正电极中的防断栅设计采用八边形和镂空槽相结合,可以有效降低正面电极印刷时断栅的几率。

    具有防断栅功能的晶硅太阳能电池的正电极

    公开(公告)号:CN208637429U

    公开(公告)日:2019-03-22

    申请号:CN201821171846.1

    申请日:2018-07-24

    摘要: 本实用新型公开了具有防断栅功能的晶硅太阳能电池的正电极,包括正电极主栅、正电极细栅和防断栅结构,防断栅结构和正电极细栅一体印刷成型,所述的防断栅结构为背面开设有镂空槽的八边形,防断栅结构由位于中部的矩形栅段以及位于矩形栅段两侧的且以矩形栅段为中心对称设置的两段等腰梯形栅段组成,所述的矩形栅段横跨正电极主栅,且矩形栅段左右两端伸出正电极主栅之外,伸出的栅段为矩形的外延防断栅段,所述的等腰梯形栅段的两端分别与外延防断栅段和正电极细栅相接触,所述的镂空槽位于等腰梯形栅段内或者横跨外延防断栅段与等腰梯形栅段。该正电极中的防断栅设计采用八边形和镂空槽相结合,可以有效降低正面电极印刷时断栅的几率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利

    一种分步印刷太阳能电池主副栅偏移的调整方法

    公开(公告)号:CN111697102B

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202010386454.2

    申请日:2020-05-09

    IPC分类号: H01L31/18 H01L31/05 B41M1/12

    摘要: 本发明公开了一种分步印刷太阳能电池主副栅偏移的调整方法,其包括:分别将副栅和主栅单独试印刷到设有激光槽的硅片上;测量相邻激光槽之间的距离x;测量相邻副栅之间的距离和同一主栅上相邻搭接单元之间的距离;计算副栅偏移间距和主栅偏移间距;根据副栅偏移间距对副栅网进行调整;根据主栅偏移间距对主栅网版进行调整。本发明的调整方法,通过对于主栅网版、副栅网版张力值和网版PT值四个参数的调整,有效消除了主栅与副栅之间的偏移,提升了电极栅线对载流子的收集以及运输,从而不仅提升了太阳能电池的转换效率;也提升了其可靠性。

    一种太阳能电池栅线偏移的调整方法及其应用

    公开(公告)号:CN111634133B

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN202010386449.1

    申请日:2020-05-09

    IPC分类号: B41M1/12 H01L31/05 H01L31/18

    摘要: 本发明公开了一种太阳能电池栅线偏移的调整方法,其包括采用网版将栅线印刷到硅片上;分别测量相邻激光槽之间的距离x和相邻栅线中心之间的距离y1,相邻栅线端点之间的距离y2;计算激光槽与栅线之间的第一偏移间距δ1和第二偏移间距δ2;根据偏移间距情况进行判断,并对网版PT值和/或张力值进行调节。相应的,本发明还公开了上述太阳能电池栅线偏移的调整方法在太阳能电池生产过程中的应用。本发明的调整方法,可明显减少或消除电极栅线与激光槽的偏移,在满足电池外观要求的同时,提升电极栅线对于载流子的收集能力。

    一种太阳能电池栅线偏移的调整方法及其应用

    公开(公告)号:CN111634133A

    公开(公告)日:2020-09-08

    申请号:CN202010386449.1

    申请日:2020-05-09

    IPC分类号: B41M1/12 H01L31/05 H01L31/18

    摘要: 本发明公开了一种太阳能电池栅线偏移的调整方法,其包括采用网版将栅线印刷到硅片上;分别测量相邻激光槽之间的距离x和相邻栅线中心之间的距离y1,相邻栅线端点之间的距离y2;计算激光槽与栅线之间的第一偏移间距δ1和第二偏移间距δ2;根据偏移间距情况进行判断,并对网版PT值和/或张力值进行调节。相应的,本发明还公开了上述太阳能电池栅线偏移的调整方法在太阳能电池生产过程中的应用。本发明的调整方法,可明显减少或消除电极栅线与激光槽的偏移,在满足电池外观要求的同时,提升电极栅线对于载流子的收集能力。

    太阳能电池及其生产方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112736147A

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN201910979702.1

    申请日:2019-10-15

    摘要: 本公开涉及一种具有背面开槽结构的太阳能电池及其生产方法。一种太阳能电池(100)包括:硅基体(40);形成在硅基体(40)的表面上的背钝化膜(50),其中背钝化膜(50)包括形成于其中的彼此平行的多个槽(60);以及形成在背钝化膜(50)上的背电极,背电极包括主栅(80)和副栅(70),副栅(70)经由多个槽(60)与硅基体(40)接触,主栅(80)被形成在背钝化膜(50)的不具有多个槽(60)的区域(55)内。本公开的实施例可以提高背面的载流子流动的顺畅性,进而消除EL暗纹现象。