一种拓扑绝缘体微压力探测装置

    公开(公告)号:CN114486022B

    公开(公告)日:2024-06-21

    申请号:CN202210041884.X

    申请日:2022-01-14

    Abstract: 本发明涉及微压力探测技术领域,具体涉及一种拓扑绝缘体微压力探测装置,包括太赫兹源、太赫兹探测器、衬底、拓扑绝缘体层、凸起部、施压层,拓扑绝缘体层置于衬底上,凸起部设置在拓扑绝缘体层的表面,施压层设置在凸起部上,太赫兹源发射的太赫兹波穿过施压部,照射拓扑绝缘体层,太赫兹探测器探测拓扑绝缘体层反射的太赫兹波,通过反射太赫兹波的变化实现微压力探测。由于太赫兹波具有较高的穿透能力,本发明将感知装置和太赫兹源、太赫兹探测器分离,能够实现非接触式的微压力探测。另外,由于拓扑绝缘体层的表面态严重地依赖于表面的应力,所以本发明还具有压力探测灵敏度高的优点,在微压力探测领域具有良好的应用前景。

    一种基于贵金属耦合的氢气探测器

    公开(公告)号:CN114414486B

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202210061204.0

    申请日:2022-01-19

    Abstract: 本发明涉及氢气检测技术领域,具体涉及一种基于贵金属耦合的氢气探测器,包括衬底、弹性层、敏感单元,弹性层置于衬底上,敏感单元周期性地置于弹性层上,敏感单元包括钯块、第一贵金属部、第二贵金属部,钯块设置在弹性层上,第一贵金属部和第二贵金属部设置在钯块上,第一贵金属部和第二贵金属部之间设有间隙。应用时,在待测氢气环境中,连续谱光源照射第一贵金属部和第二贵金属部,钯块吸附氢气产生膨胀,通过共振波长的移动实现氢气或氢气浓度探测。本发明中,吸附氢气的钯块的尺寸大,而导致共振波长移动的第一贵金属部和第二贵金属部的尺寸小,所以氢气对上述共振波长的调节力度大,从而实现更高灵敏度的氢气探测。

    一种基于拓扑绝缘体材料的可调滤波器

    公开(公告)号:CN114488576A

    公开(公告)日:2022-05-13

    申请号:CN202210121907.8

    申请日:2022-02-09

    Abstract: 本发明涉及滤波器技术领域,具体涉及一种基于拓扑绝缘体材料的可调滤波器,包括衬底、拓扑绝缘体层、波导、谐振腔,拓扑绝缘体层置于衬底上,波导和谐振腔置于拓扑绝缘体层上,波导为光纤,谐振腔为二氧化硅材料,谐振腔置于波导一侧,在靠近谐振腔处,波导裸露出纤芯,波导和谐振腔均部分地置于拓扑绝缘体层内。应用时,应用外光束照射谐振腔。本发明应用外光束照射谐振腔,改变谐振腔外侧拓扑绝缘体层的折射率,高效地实现了一束光对波导中所传播电磁波的调控,在波长可调滤波器应用领域具有良好的应用前景。

    一种基于贵金属耦合的氢气探测器

    公开(公告)号:CN114414486A

    公开(公告)日:2022-04-29

    申请号:CN202210061204.0

    申请日:2022-01-19

    Abstract: 本发明涉及氢气检测技术领域,具体涉及一种基于贵金属耦合的氢气探测器,包括衬底、弹性层、敏感单元,弹性层置于衬底上,敏感单元周期性地置于弹性层上,敏感单元包括钯块、第一贵金属部、第二贵金属部,钯块设置在弹性层上,第一贵金属部和第二贵金属部设置在钯块上,第一贵金属部和第二贵金属部之间设有间隙。应用时,在待测氢气环境中,连续谱光源照射第一贵金属部和第二贵金属部,钯块吸附氢气产生膨胀,通过共振波长的移动实现氢气或氢气浓度探测。本发明中,吸附氢气的钯块的尺寸大,而导致共振波长移动的第一贵金属部和第二贵金属部的尺寸小,所以氢气对上述共振波长的调节力度大,从而实现更高灵敏度的氢气探测。

    一种光纤反射式氢气探测器

    公开(公告)号:CN114235747A

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:CN202111568551.4

    申请日:2021-12-21

    Inventor: 邵雅斌 陈晨

    Abstract: 本发明涉及氢气检测技术领域,具体涉及一种光纤反射式氢气探测器,包括光源、光环形器、光探测器、光纤、钯膜,光纤的一端通过所述光环形器连接光源和光探测器,光纤的另一端设有拉锥区,拉锥区的自由端形成拉锥区端面,钯膜设置在拉锥区的一侧。应用时,光源发出激光通过光环形器传播至光纤,光沿光纤传播至拉锥区,在拉锥区形成反射,反射光又经光纤和光环行器后进入光探测器。钯膜改变了拉锥区的形状和折射率环境,从而改变了拉锥区的反射特性;通过探测拉锥区反射特性的变化实现氢气或氢气浓度探测。本发明能实现具有更高灵敏度的氢气探测,在氢气探测领域具有良好的应用前景。

    一种基于拓扑绝缘体光电效应的手性分子探测器

    公开(公告)号:CN114486751B

    公开(公告)日:2024-04-16

    申请号:CN202210127459.2

    申请日:2022-02-11

    Abstract: 本发明涉及手性分子探测技术领域,具体涉及一种基于拓扑绝缘体光电效应的手性分子探测器,包括栅极、绝缘层、拓扑绝缘体层、源极、漏极,栅极置于绝缘层的底部,拓扑绝缘体层置于绝缘层上,源极和漏极置于拓扑绝缘体层上;应用时,手性分子置于拓扑绝缘体层上源极和漏极之间,同时应用圆偏振光照射手性分子。不同圆偏振光照射时,手性分子与拓扑绝缘体层之间的异质结不同,从而改变了拓扑绝缘体层的导电特性,通过拓扑绝缘体层导电特性的变化实现手性分子手性探测。本发明,不需要应用光谱仪等设备,成本低,在手性分子探测方面具有良好的应用前景。

    一种光纤反射式氢气探测器

    公开(公告)号:CN114235747B

    公开(公告)日:2024-01-12

    申请号:CN202111568551.4

    申请日:2021-12-21

    Inventor: 邵雅斌 陈晨

    Abstract: 本发明涉及氢气检测技术领域,具体涉及一种光纤反射式氢气探测器,包括光源、光环形器、光探测器、光纤、钯膜,光纤的一端通过所述光环形器连接光源和光探测器,光纤的另一端设有拉锥区,拉锥区的自由端形成拉锥区端面,钯膜设置在拉锥区的一侧。应用时,光源发出激光通过光环形器传播至光纤,光沿光纤传播至拉锥区,在拉锥区形成反射,反射光又经光纤和光环行器后进入光探测器。钯膜改变了拉锥区的形状和折射率环境,从而改变了拉锥区的反射特性;通过探测拉锥区反射特性的变化实现氢气或氢气浓度探测。本发明能实现具有更高灵敏度的氢气探测,在氢气探测领域具有良好的应用前景。

    一种电控光强吸收装置
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN114114723B

    公开(公告)日:2023-10-13

    申请号:CN202111514558.8

    申请日:2021-12-13

    Inventor: 邵雅斌 陈晨

    Abstract: 本发明涉及滤光技术领域,具体涉及一种电控光强吸收装置,包括衬底、第一导电层、电光材料层、第一贵金属部、第二导电层,第一导电层置于衬底上,电光材料层置于第一导电层上,电光材料层的表面设有周期性排布的凹槽,第一贵金属部填充在凹槽内,第二导电层覆盖电光材料层和第一贵金属部的表面,第二导电层的材料为石墨烯。本发明在装置的表面设置的是石墨烯,石墨烯不仅具有良好的导电特性,而且可见光能够穿透石墨烯,所以在应用时,入射光能够更多地进入本装置,从而针对入射光实现更强的调控。

    一种拓扑绝缘体纳米线磁场探测器

    公开(公告)号:CN114280511A

    公开(公告)日:2022-04-05

    申请号:CN202111595777.3

    申请日:2021-12-24

    Abstract: 本发明涉及磁场探测技术领域,具体涉及一种拓扑绝缘体纳米线磁场探测器,包括衬底、拓扑绝缘体纳米线、第一电极、第二电极、磁致伸缩块,拓扑绝缘体纳米线、第一电极、第二电极置于衬底上,第一电极和第二电极分别固定在拓扑绝缘体纳米线的两端,第一电极和第二电极也固定在衬底上,磁致伸缩块设置在所述拓扑绝缘体纳米线上。应用时,将本磁场探测器置于待测环境中,同时应用光照射拓扑绝缘体纳米线,第一电极和第二电极间连接检流计和电源,通过测量拓扑绝缘体纳米线导电特性的变化实现磁场探测。在本发明中具有成本低、尺寸小、易于和其他器件集成等优点,在磁场探测领域具有良好的应用前景。

    一种基于拓扑绝缘体材料的可调滤波器

    公开(公告)号:CN114488576B

    公开(公告)日:2025-02-18

    申请号:CN202210121907.8

    申请日:2022-02-09

    Abstract: 本发明涉及滤波器技术领域,具体涉及一种基于拓扑绝缘体材料的可调滤波器,包括衬底、拓扑绝缘体层、波导、谐振腔,拓扑绝缘体层置于衬底上,波导和谐振腔置于拓扑绝缘体层上,波导为光纤,谐振腔为二氧化硅材料,谐振腔置于波导一侧,在靠近谐振腔处,波导裸露出纤芯,波导和谐振腔均部分地置于拓扑绝缘体层内。应用时,应用外光束照射谐振腔。本发明应用外光束照射谐振腔,改变谐振腔外侧拓扑绝缘体层的折射率,高效地实现了一束光对波导中所传播电磁波的调控,在波长可调滤波器应用领域具有良好的应用前景。

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