公开(公告)号：CN118221172A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410321198.7

申请日：2024-03-20

Applicant: 浙江大学

Inventor： 王柯涵 ,  支明佳 ,  洪樟连

IPC: C01G53/00 ,  H01M4/36 ,  H01M4/525 ,  H01M4/505 ,  H01M4/485 ,  H01M10/054

Abstract: 本发明公开了一种单相O3型高熵层状氧化物及其制备方法和应用，属于电池材料制备技术领域。该方法采用摩尔比(1.05～1.4)：(0.1～0.2)：(0.1～0.2)：(0.1～0.2)：(0.1～0.2)：(0.1～0.2)：(0.04～0.1)：(0.1～0.16)称取钠盐、Ni源、Co源、Mn源、Fe源、Cu源、Mg源和Sn源，充分混合后得到前驱体粉末；将前驱体粉末压制成圆柱体颗粒后，置于加热装置中充分煅烧，进行高温固相反应；煅烧完毕后冷却，将产物粉碎、洗涤、干燥后，得到单相O3型高熵层状氧化物。该高熵层状氧化物的化学式为NaNixCoyMnzM(0.8‑x‑y‑z)MgaSn(0.2‑a)O2，M为Fe和Cu中的至少一种，且0.1≤x≤0.2，0.1≤y≤0.2，0.1≤z≤0.2，0.04≤a≤0.1。