公开(公告)号：CN103880409B

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410039160.7

申请日：2014-01-26

Applicant: 浙江大学

Inventor： 杜丕一 ,  肖彬 ,  王君从 ,  马宁

IPC: C04B35/30 ,  C04B35/622 ,  C04B35/624 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种非晶BTO相致密包裹NZFO晶相高介高磁复相陶瓷及制备方法。其组成为(1-x)BaTiO3/xNi0.5Zn0.5Fe2O4，0.7≤x≤0.9，以NZFO晶相为主相，BTO非晶相为原位形成且完全致密填充在NZFO晶粒间，实现对NZFO晶粒的均匀包裹和隔离，形成由BTO非晶相包裹NZFO晶粒的两相复合陶瓷。制备方法为：首先烧结得到致密的BTO/NZFO复合陶瓷；然后，将烧结温度迅速升高，使体系中含量较少的BTO相完全融化成液态，将NZFO相的晶粒完全分隔开来。最后，将复相陶瓷快速冷却至室温，将NZFO晶粒间的熔融态BTO固化成玻璃态。本发明的复相陶瓷，其密度可比传统方法制备的陶瓷至少提高10%，具有高介电常数、高磁导率和低电磁损耗。

公开(公告)号：CN103880409A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410039160.7

申请日：2014-01-26

Applicant: 浙江大学

Inventor： 杜丕一 ,  肖彬 ,  王君从 ,  马宁

IPC: C04B35/30 ,  C04B35/622 ,  C04B35/624 ,  C04B35/64

Abstract: 本发明公开了一种非晶BTO相致密包裹NZFO晶相高介高磁复相陶瓷及制备方法。其组成为(1-x)BaTiO3/xNi0.5Zn0.5Fe2O4，0.7≤x≤0.9，以NZFO晶相为主相，BTO非晶相为原位形成且完全致密填充在NZFO晶粒间，实现对NZFO晶粒的均匀包裹和隔离，形成由BTO非晶相包裹NZFO晶粒的两相复合陶瓷。制备方法为：首先烧结得到致密的BTO/NZFO复合陶瓷；然后，将烧结温度迅速升高，使体系中含量较少的BTO相完全融化成液态，将NZFO相的晶粒完全分隔开来。最后，将复相陶瓷快速冷却至室温，将NZFO晶粒间的熔融态BTO固化成玻璃态。本发明的复相陶瓷，其密度可比传统方法制备的陶瓷至少提高10%，具有高介电常数、高磁导率和低电磁损耗。