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公开(公告)号：CN114291813B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202210140361.0
申请日：2022-02-16
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B32/205
Abstract: 本发明公开了一种独立自支撑超薄石墨膜的制备方法。用氧化石墨烯在高温下诱导油溶性木质素形成石墨结构，或用还原氧化石墨烯在高温下诱导水溶性木质素形成石墨结构，以得到石墨膜。本发明采用普通涂膜技术，利用亲水基底，将氧化石墨烯与木质素均匀复合，在基底上刮涂，构建超薄石墨烯复合膜，待膜干后，利用一定的化学物理手段，使得其中一种物质遇水不溶胀，另外一种遇水溶胀。利用氧化石墨烯(水溶性木质素)在水中的溶胀效应，借助水表面张力和渗透力剪切作用，结合不溶胀材料的物理交联作用，将超薄复合膜剥离到水面上，再将膜转移到易挥发溶剂体系，最后借助粗糙多孔板捞取，烘干后就可以得到单独的薄膜。该种技术解决了超薄石墨膜一直存在难以独立自支撑的问题。
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公开(公告)号：CN114583003B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202210463642.X
申请日：2022-04-29
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L31/108 , H01L31/18 , B82Y15/00 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种基于硅/石墨烯纳米膜/锗的垂直光电探测器及制备方法，该光电探测器包括单晶锗衬底、氧化铝介质层、二氧化硅氧化层、石墨烯纳米膜、金属电极和SOI顶硅。本发明在石墨烯/锗近红外光电探测器优异性能的基础上，使用厚度可调的石墨烯纳米膜，增加了器件的光吸收及响应波段，在石墨烯纳米膜上垂直堆叠微米级尺度SOI顶硅，形成SOI顶硅/石墨烯纳米膜以及石墨烯纳米膜/单晶锗衬底两个肖特基结，在SOI顶硅和锗上施加两种不同方向偏压的条件下，既能实现对可见光的高响应度探测，又能实现对近红外、中红外光的宽光谱有效探测，将多/宽光谱探测功能集于单个器件，大大缩小了探测器的尺寸，提高了传统硅基器件能效极限。
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公开(公告)号：CN114604820A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210225160.0
申请日：2022-03-09
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种厚膜材料纳米图形刻蚀方法，将几十纳米厚度薄膜材料转移到衬底上(半导体、聚合物、玻璃等)，采用电子束光刻技术在薄膜表面刻蚀纳米量级图形，EBL胶采用上下两种不同得胶形成倒梯形结构。然后采用电子束蒸发，蒸镀一层铝金属薄膜，利用丙酮剥离，ICP(感应耦合等离干法刻蚀)刻蚀薄膜，200℃通氯气，去除表面铝，即可得到不同线宽的薄膜结构，线宽最小可达到百纳米量级。本发明可以刻蚀几十纳米厚度的薄膜，解决了图形化刻蚀纳米量级薄膜只能刻蚀单层或少层二维材料的问题。
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公开(公告)号：CN109107557B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201810753275.0
申请日：2018-07-10
Applicant: 杭州高烯科技有限公司 , 浙江大学
IPC: B01J21/18 , C01B32/184 , C01B32/40
Abstract: 本发明公开了一种光催化石墨烯/硅复合膜、制备方法以及应用，该薄膜材料由石墨烯纳米薄膜磁控溅射纳米硅层形成。其中石墨烯为层间交联结构，电导率为1‑1.5MS/m。在光照射下，石墨烯硅界面层会产生光生载流子；在外电场作用下，形成电子界面和空穴界面。电子层和空穴层持续的作用下，催化二氧化碳和水形成甲烷、一氧化碳以及氧气。
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公开(公告)号：CN108970952B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201810753785.8
申请日：2018-07-10
Applicant: 杭州高烯科技有限公司 , 浙江大学
IPC: B06B1/02 , C01B32/194
Abstract: 本发明提供一种音色可调的纳米级声波发生器，采用水剥离方法将石墨烯膜从AAO基底膜上剥离，通过冷冻干燥，石墨烯膜自支撑，且与基底分离。本发明避开了还原剥离、刻蚀剥离两种剥离手段，保证剥离得到的石墨烯膜不受任何破坏，保持其在AAO基底膜上的原有形态、结构和性能。同时，对AAO基底膜也没有产生任何破坏，可重复利用。这种剥离方法适用于超薄膜，通过上述方法剥离后的超薄膜经冷冻干燥后，即可实现自支撑。经高温处理后，该石墨烯膜具有优异的电热性能和热导率，可以有效引起薄膜处空气的热震动。该发声器件音质好，声音清晰度高。通过调控薄膜的热导率以及设计悬空薄膜中间承接点，来调节声音激发的波形，进而调节音色。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108840329B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201810753282.0
申请日：2018-07-10
Applicant: 杭州高烯科技有限公司 , 浙江大学
IPC: C01B32/198 , C01B32/194 , C23C14/35 , C23C14/18 , B05D1/00 , B05D7/24
Abstract: 本发明公开了一种独立自支撑石墨烯基超薄膜的制备方法，超薄膜负载于石墨烯基底膜上，该方法为：以AAO为基底，抽滤得到氧化石墨烯基底膜；在氧化石墨烯基底膜表面复合其他材料，形成超薄膜；以超薄膜所在的面朝上，置于水面上；按压AAO，使得AAO下沉，得到漂浮于水面的石墨烯基超薄膜。避开了还原剥离、刻蚀剥离两种剥离手段，保证剥离得到的石墨烯复合膜不受任何破坏，保持其在AAO基底膜上的原有形态、结构和性能。同时，对AAO基底膜也没有产生任何破坏，可重复利用。这种剥离方法适用于超薄复合膜的制备。
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公开(公告)号：CN108328606B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201810145061.5
申请日：2018-02-12
Applicant: 浙江大学
IPC: C01B32/184
Abstract: 本发明公开了一种规则多孔石墨烯薄膜及其制备方法，该石墨烯膜由氧化石墨烯经过滤抽成膜、缓慢低温以及高温处理得到。该石墨烯膜由石墨烯物理交联而成。石墨烯膜厚度方向的石墨烯层数不大于20000层；内部有均匀的气泡结构；表面有均匀繁多的气孔结构,气泡壁具有均匀的通气孔，孔径为100～150nm，孔隙率大于5％。这种石墨烯膜由于其多级空隙结构，在电池领域具有重要应用。
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公开(公告)号：CN108966376B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201810753780.5
申请日：2018-07-10
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种基于石墨烯的可折叠电热膜器件，包括发热元件、保护膜和截流体；其中发热元件为石墨烯膜，厚度不大于200层，使得其单位面积的电阻大大提高，此外，其缺陷密度ID/IG≤0.05，导电率达到1.2～1.5MS/m。折叠5000次后保持原有的电学性能。
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公开(公告)号：CN109036851B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810752912.2
申请日：2018-07-10
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯基薄膜太阳能电池，包括透明电极，透明电极为石墨烯薄膜，厚度不大于20nm，本发明用抽滤的方法制备薄膜，保证了薄膜的均匀性以及器件的稳定性；采用了水转移的方法，将石墨烯膜的厚度控制在纳米级别，提高了薄膜的透光率；转移过程中，引入了微观褶皱，增加了薄膜和光敏层的接触面积；高温处理后，石墨烯缺陷少，薄膜强度高，可以耐受柔性电极反复折叠过程中的应力变化。整个过程简单、绿色、极易操作。该薄膜作为光阳极、对电极等；相比而言，石墨烯具有更高的电子迁移率，而且没有重金属污染问题存在，降低了成本，提高光转化效率。
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公开(公告)号：CN108821264B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201810753802.8
申请日：2018-07-10
Applicant: 杭州高烯科技有限公司 , 浙江大学
IPC: C01B32/184 , C01B32/194 , B06B1/02
Abstract: 本发明公开了一种纳米级声波发生器，包括热导率低于200W/mK的基底、平铺于基底上的声波发生薄膜，以及两个音频电流输入用银胶电极和电信号输入单元，两个银胶电极分别设置在声波发生薄膜的两端，声波发生薄膜、两个银胶电极和电信号输入单元串联形成回路；所述声波发生薄膜为石墨烯膜，厚度为不大于60nm，密度2.0～2.2g/cm3之间，石墨烯层间交联，交联度在1‑5％，该石墨烯膜具有优异的电热性能和热导率，可以有效引起薄膜处空气的热震动。该发声器件音质好，声音清晰度高。
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