一种多层非晶透明导电薄膜

    公开(公告)号:CN102582149A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201210039235.2

    申请日:2012-02-21

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开的多层非晶透明导电薄膜,包括衬底,在衬底上交替沉积有n层非晶氧化物层和导电改性层,n≥2,其中奇数层为非晶氧化物层,或奇数层为导电改性层。采用脉冲激光沉积法或是磁控溅射法制备。本发明的多层非晶透明导电薄膜具有很低的电阻率,同时保持较高的可见光透过率,光电综合性能优异,而且表面粗糙度低,易于大面积均匀制备和工艺刻蚀,可应用于显示器件、发光器件、太阳能电池等领域,特别是柔性器件领域。

    激光探测器灵敏度调节装置及方法

    公开(公告)号:CN114859369B

    公开(公告)日:2024-10-15

    申请号:CN202210477221.2

    申请日:2022-05-03

    Abstract: 本发明提供一种激光探测器灵敏度调节装置及方法,创新性地在激光接收及信号处理电路中采用了一种多维度判读机制,根据激光回波能量强弱大小、光斑跟踪器或制导装置距目标的距离信息、光斑跟踪器或制导装置的运动速度信息等多个参数去动态调整激光接收电路的探测灵敏度,保证激光接收电路的探测灵敏度随着探测到的回波能量的大小动态自动调整,调整后的能量范围始终保持在某一合理区间内,并在该区间内线性平滑变化。

    一种薄膜晶体管
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102593189A

    公开(公告)日:2012-07-18

    申请号:CN201210087433.6

    申请日:2012-03-29

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明的薄膜晶体管,自下而上依次有栅极、绝缘层、有源层、在有源层上覆盖有相隔的源电极和漏电极,栅极为“n”型形状,器件沟道的宽度等于“n”型底边的边宽,沟道处源电极和漏电极的宽度大于“n”型底边的宽度,器件沟道的长度等于源电极和漏电极之间相隔的距离。本发明的薄膜晶体管,由于采用“n”型形状的栅极,由“n”型底边的边宽来界定器件沟道的宽度,栅极和源、漏电极图案通过两步光刻完成,克服了由光刻源、漏电极图案同时控制沟道长度和宽度的工艺难度,有利于提高器件成品率。

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