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公开(公告)号：CN101494269A
公开(公告)日：2009-07-29
申请号：CN200810238526.8
申请日：2008-12-18
Applicant: 济南大学
IPC: H01L33/00 , H01L21/203
Abstract: 本发明涉及半导体薄膜材料，特别涉及宽禁带半导体材料。包括衬底、缓冲层和外延层，其缓冲层是在Si基片上利用脉冲激光沉积方法沉积形成的GaN膜层，后经退火形成GaN结晶膜层，厚度为50nm。制备方法，包括Si基片的清洗、制备GaN缓冲层及制备ZnO薄膜。制备GaN缓冲层是在Si基片上，利用脉冲激光沉积方法，在1.3Pa氮气氛围、800℃衬底温度下生长15分钟，后在退火炉中、氨气氛围中退火20分钟形成GaN膜层。本发明的氧化锌薄膜，利用氮化镓作为硅衬底与氧化锌薄膜之间的缓冲层，减少了由晶格失配和热膨胀系数失配带来的品格缺陷，提高了在Si衬底上制备ZnO薄膜的结晶质量，增大了ZnO薄膜发光强度。
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公开(公告)号：CN102082031B
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN200910230946.6
申请日：2009-11-27
Applicant: 济南大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 一种基于一维有序纳米ZnO/TiO2核-壳结构及红外上转换发光材料的染料敏化太阳电池叠层光阳极，包括在生长有透明导电膜ITO(2)的透明玻璃衬底(1)上生长ZnO纳米薄膜层(3)，在ZnO纳米薄膜层上生长一维有序纳米ZnO(4)/TiO2(5)核-壳结构，最后制备一层TiO2及红外上转换发光材料的复合薄膜(6)。利用一维有序纳米ZnO/TiO2核-壳结构及红外上转换发光材料的染料敏化太阳电池叠层光阳极具有如下优势：①充分利用了TiO2材料优良的光伏特性；②核层一维有序纳米ZnO为电子提供了快速传输的通道，减小了复合；③壳层TiO2材料能提高电池的开路电压及填充因子；④利用红外上转换材料能有效将近红外光转换成可见光，进而被染料有效的吸收。
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公开(公告)号：CN102082031A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200910230946.6
申请日：2009-11-27
Applicant: 济南大学
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 一种基于一维有序纳米ZnO/TiO2核-壳结构及红外上转换发光材料的染料敏化太阳电池叠层光阳极，包括在生长有透明导电膜ITO(2)的透明玻璃衬底(1)上生长ZnO纳米薄膜层(3)，在ZnO纳米薄膜层上生长一维有序纳米ZnO(4)/TiO2(5)核-壳结构，最后制备一层TiO2及红外上转换发光材料的复合薄膜(6)。利用一维有序纳米ZnO/TiO2核-壳结构及红外上转换发光材料的染料敏化太阳电池叠层光阳极具有如下优势：①充分利用了TiO2材料优良的光伏特性；②核层一维有序纳米ZnO为电子提供了快速传输的通道，减小了复合；③壳层TiO2材料能提高电池的开路电压及填充因子；④利用红外上转换材料能有效将近红外光转换成可见光，进而被染料有效的吸收。
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公开(公告)号：CN101494269B
公开(公告)日：2010-05-12
申请号：CN200810238526.8
申请日：2008-12-18
Applicant: 济南大学
IPC: H01L33/00 , H01L21/203
Abstract: 本发明涉及半导体薄膜材料，特别涉及宽禁带半导体材料。包括衬底、缓冲层和外延层，其缓冲层是在Si基片上利用脉冲激光沉积方法沉积形成的GaN膜层，后经退火形成GaN结晶膜层，厚度为50nm。制备方法，包括Si基片的清洗、制备GaN缓冲层及制备ZnO薄膜。制备GaN缓冲层是在Si基片上，利用脉冲激光沉积方法，在1.3Pa氮气氛围、800℃衬底温度下生长15分钟，后在退火炉中、氨气氛围中退火20分钟形成GaN膜层。本发明的氧化锌薄膜，利用氮化镓作为硅衬底与氧化锌薄膜之间的缓冲层，减少了由晶格失配和热膨胀系数失配带来的晶格缺陷，提高了在Si衬底上制备ZnO薄膜的结晶质量，增大了ZnO薄膜发光强度。
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