公开(公告)号：CN113336279B

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN202110663968.2

申请日：2021-06-16

Applicant: 济南大学

Inventor： 徐锡金 ,  李娜 ,  渠广猛 ,  张习习 ,  赵顺顺

IPC: C01G53/00 ,  C01G53/11 ,  H01M4/58 ,  H01M10/36 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种中空结构的Ni‑Co‑S纳米多面体材料及其制备与应用，其中所述制备包括以ZIF‑67的Ni‑Co双金属氢氧化物的前驱体为原料，经硫化制得中空结构的Ni‑Co‑S纳米多面体的过程，其制备成本低、可简单便捷的制备出中空结构的Ni‑Co‑S纳米多面体。所得中空结构的Ni‑Co‑S纳米多面体材料具有良好的导电性及比电容保持率，特别适于用作自支撑电极材料。

公开(公告)号：CN113336279A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202110663968.2

申请日：2021-06-16

Applicant: 济南大学

Inventor： 徐锡金 ,  李娜 ,  渠广猛 ,  张习习 ,  赵顺顺

IPC: C01G53/00 ,  C01G53/11 ,  H01M4/58 ,  H01M10/36 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种中空结构的Ni‑Co‑S纳米多面体材料及其制备与应用，其中所述制备包括以ZIF‑67的Ni‑Co双金属氢氧化物的前驱体为原料，经硫化制得中空结构的Ni‑Co‑S纳米多面体的过程，其制备成本低、可简单便捷的制备出中空结构的Ni‑Co‑S纳米多面体。所得中空结构的Ni‑Co‑S纳米多面体材料具有良好的导电性及比电容保持率，特别适于用作自支撑电极材料。