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公开(公告)号:CN112110851A
公开(公告)日:2020-12-22
申请号:CN202011037141.2
申请日:2020-09-28
Applicant: 济南大学
IPC: C07D213/70 , C09K11/06 , C09K11/02 , C30B29/54 , C30B7/14 , C30B28/04 , C08L33/12 , C08K5/00 , C08J5/18
Abstract: 本发明公开了一种零维铜基无机‑有机杂化红色发光半导体材料及其制备方法。所述的发光半导体分子结构式为Cu6(TPT)6,该杂化材料表现为有机配体和无机组分通过配位键相连的杂化零维齿轮状结构。具体结构特征为三铜离子与三个有机配体的硫原子交替连接形成六元环,环中铜离子分别与另外三个有机配体中氮原子形成配位键,每个有机配体以桥联的作用将两个六元环平行固定,其中带有三氟甲基基团的有机配体以锯齿状均匀的分布在六元环周围形成齿轮状结构。通过选择碘化亚铜,2‑巯基‑5‑(三氟甲基)吡啶,碘化钾,水,乙腈和氢碘酸为反应原料,在溶剂热的条件下获得了化合物Cu6(TPT)6的单晶,可以用于光转换薄膜材料领域。
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公开(公告)号:CN113999168A
公开(公告)日:2022-02-01
申请号:CN202111231126.6
申请日:2021-10-22
Applicant: 济南大学
IPC: C07D213/70 , H01L51/46 , G01J1/42
Abstract: 一种有机修饰的铜硫二维半导体及光电应用。本发明的目的在于提供一种具有超薄铜硫单层的半导体材料及一种以双重键型构筑二维材料的方法。通过选择碘化亚铜,5‑氯‑2‑巯基吡啶为反应原料,在溶剂热条件下通过原位自助装构筑[Cu(CMP)]的晶态材料,并获得其均一微米片。该微米片制备的薄膜器件表现出折优取向,显著增强的光暗电流响应和良好的光响应稳定性,可利用其特性用于光电转换,紫外及可见区的光探测。
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