公开(公告)号：CN111525021B

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202010320707.6

申请日：2020-04-22

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨长红 ,  冯超 ,  钱进 ,  林秀娟 ,  程振祥 ,  黄世峰

IPC: H10N10/853 ,  H10N10/855 ,  H10N10/01 ,  C23C28/00 ,  C23C18/12 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  B05D1/00 ,  B05D3/02 ,  B05D7/24 ,  C01G29/00

Abstract: 本发明属于电子功能材料与器件领域，具体涉及一种兼具正负电卡效应的钛酸铋钠基薄膜及其制备方法。本发明的钛酸铋钠基薄膜由基片、底电极、铁电薄膜层和顶电极组成，所述薄膜的组成通式为Na0.5×aBi0.5×b(Ti1‑x‑yWxFey)O3，其中，1.01≤a≤1.02，1.01≤b≤1.04，0.01≤x≤0.02，0.01≤y≤0.02。在143℃附近，正绝热温变和等温熵变的峰值为目前报导中最大值：∆T~55 K，∆S~64 J K‑1 kg‑1；在同一制冷循环内，54℃附近，负绝热温变和等温熵变的峰值为：∆T~‑17 K，∆S~‑26 J K‑1 kg‑1。通过化学溶液法制备的该钛酸铋钠基薄膜具有电卡性能优异、环境友好、工艺简单以及成本低等优点，在芯片制冷、传感器及电子器件等温度控制领域具有广泛的应用前景。

公开(公告)号：CN111525021A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010320707.6

申请日：2020-04-22

Applicant: 济南大学

Inventor： 杨长红 ,  冯超 ,  钱进 ,  林秀娟 ,  程振祥 ,  黄世峰

IPC: H01L35/18 ,  H01L35/22 ,  H01L35/34 ,  C23C28/00 ,  C23C18/12 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  B05D1/00 ,  B05D3/02 ,  B05D7/24 ,  C01G29/00

Abstract: 本发明属于电子功能材料与器件领域，具体涉及一种兼具正负电卡效应的钛酸铋钠基薄膜及其制备方法。本发明的钛酸铋钠基薄膜由基片、底电极、铁电薄膜层和顶电极组成，所述薄膜的组成通式为Na0.5×aBi0.5×b(Ti1‑x‑yWxFey)O3，其中，1.01≤a≤1.02，1.01≤b≤1.04，0.01≤x≤0.02，0.01≤y≤0.02。在143 ℃附近，正绝热温变和等温熵变的峰值为目前报导中最大值：∆T~55 K，∆S~64 J K‑1 kg‑1；在同一制冷循环内，54 ℃附近，负绝热温变和等温熵变的峰值为：∆T~‑17 K，∆S~‑26 J K‑1 kg‑1。通过化学溶液法制备的该钛酸铋钠基薄膜具有电卡性能优异、环境友好、工艺简单以及成本低等优点，在芯片制冷、传感器及电子器件等温度控制领域具有广泛的应用前景。