基于g-C3N4/Mo:BiVO4与CuS器件制备

    公开(公告)号:CN113176314A

    公开(公告)日:2021-07-27

    申请号:CN202110253091.X

    申请日:2021-03-09

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于g‑C3N4/Mo:BiVO4结合CuS催化信号放大传感器的制备方法,首先合成了具有良好光电化学信号的g‑C3N4/Mo:BiVO4,由于Mo掺杂增加了BiVO4的载流子浓度,提高了载流子分离效率;同时,g‑C3N4负载到Mo:BiVO4形成异质结,使光生空穴从BiVO4产生并顺利传输到g‑C3N4,加速了电子和空穴的分离,有效抑制了载流子的复合;另外在二抗上面修饰了CuS‑GR作为信号放大载体,一方面增加了传感器的阻抗,引起光电信号的减小,另一方面CuS作为一种p型半导体可以竞争吸收光能和竞争消耗溶液中的供电子试剂抗坏血酸,导致信号的减小,这种夹心型传感器最终测的了满意的检测线。

    一种基于卟啉纳米棒-CdTe量子点阵列检测癌细胞的光致电化学方法

    公开(公告)号:CN109709181B

    公开(公告)日:2021-02-09

    申请号:CN201910158912.4

    申请日:2019-03-04

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明中公开了一种基于卟啉纳米棒‑CdTe量子点阵列检测癌细胞的光电化学免疫传感器,所使用的卟啉纳米棒作为一种有机半导体材料,合成起来非常的方便,并且它作为一种有机半导体材料,有非常好的晶型结构,因此非常有利于电荷的传输,ZnP(Py)4与CdTeQDs的能级夹带的良好匹配使得光电信号进一步的增强因此所构建的ZnP(Py)4‑CdTeQDs阵列的光电信号高于单纯的ZnP(Py)4或CdTeQDs。在实验中通过在ZnP(Py)4‑CdTeQDs阵列上特异性结合来检测癌细胞,并且在测试溶液中加入抗坏血酸作为空穴消耗剂,在光的激发下进一步增加光电流的强度。

    一种基于卟啉纳米棒-CdTe量子点阵列检测癌细胞的光致电化学方法

    公开(公告)号:CN109709181A

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:CN201910158912.4

    申请日:2019-03-04

    Applicant: 济南大学

    Abstract: 本发明中公开了一种基于卟啉纳米棒-CdTe量子点阵列检测癌细胞的光电化学免疫传感器,所使用的卟啉纳米棒作为一种有机半导体材料,合成起来非常的方便,并且它作为一种有机半导体材料,有非常好的晶型结构,因此非常有利于电荷的传输,ZnP(Py)4与CdTeQDs的能级夹带的良好匹配使得光电信号进一步的增强因此所构建的ZnP(Py)4-CdTeQDs阵列的光电信号高于单纯的ZnP(Py)4或CdTeQDs。在实验中通过在ZnP(Py)4-CdTeQDs阵列上特异性结合来检测癌细胞,并且在测试溶液中加入抗坏血酸作为空穴消耗剂,在光的激发下进一步增加光电流的强度。

Patent Agency Ranking