公开(公告)号：CN104477995A

公开(公告)日：2015-04-01

申请号：CN201410695809.0

申请日：2014-11-26

Applicant: 济南大学

Inventor： 张仲 ,  相忠诚 ,  王庆宝

IPC: C01G39/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供一种MoO2纳米片的制备方法及MoO2纳米片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)取1g-10g还原氧化石墨烯溶于20ml无水乙醇中，在磁力搅拌机中充分搅拌1小时，然后旋涂在1cmX1cm单晶硅上；(2)取0.5g-3gMoO3粉末放入钢玉舟中；(3)旋涂后的单晶硅面朝MoO3粉末放置但不直接接触MoO3粉末；(4)将单晶硅和钢玉舟放入高温炉恒温区中，并通入氮气N2；(5)将高温炉加热到850摄氏度并保持2小时，自然降温至室温。本发明的方法简单易行，成功率极高，能够达到90％以上，产品分布均匀、型为纳米片状，产品精度极高，适宜推广应用。

公开(公告)号：CN104477995B

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201410695809.0

申请日：2014-11-26

Applicant: 济南大学

Inventor： 张仲 ,  相忠诚 ,  王庆宝

IPC: C01G39/02 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明提供一种MoO2纳米片的制备方法及MoO2纳米片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)取1g‑10g还原氧化石墨烯溶于20ml无水乙醇中，在磁力搅拌机中充分搅拌1小时，然后旋涂在1cmX1cm单晶硅上；(2)取0.5g‑3gMoO3粉末放入钢玉舟中；(3)旋涂后的单晶硅面朝MoO3粉末放置但不直接接触MoO3粉末；(4)将单晶硅和钢玉舟放入高温炉恒温区中，并通入氮气N2；(5)将高温炉加热到850摄氏度并保持2小时，自然降温至室温。本发明的方法简单易行，成功率极高，能够达到90％以上，产品分布均匀、型为纳米片状，产品精度极高，适宜推广应用。