公开(公告)号：CN116847665B

公开(公告)日：2023-12-19

申请号：CN202311117696.1

申请日：2023-09-01

Applicant: 济南大学 ,  核芯光电科技(山东)有限公司

Inventor： 王爱伟 ,  于颖 ,  曹丙强

IPC: H10K30/10 ,  H10K30/60 ,  H10K85/50 ,  H10K71/10 ,  C30B29/12 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了一种硅基外延钙钛矿异质PN结光电探测器及制备方法，所述硅基外延钙钛矿异质PN结光电探测器包括依次连接的上电极、钙钛矿层、单晶硅衬底和下电极；所述钙钛矿层通过脉冲激光沉积方法沉积在所述单晶硅衬底表面并形成异质PN结；本发明通过脉冲激光沉积技术在单晶硅衬底上形成钙钛矿层，能够实现结晶度高、晶格匹配、缺陷少的钙钛矿外延薄膜的大规模制备，进而得到很好晶体结构的的硅/钙钛矿异质结。

公开(公告)号：CN116847665A

公开(公告)日：2023-10-03

申请号：CN202311117696.1

申请日：2023-09-01

Applicant: 济南大学 ,  核芯光电科技(山东)有限公司

Inventor： 王爱伟 ,  于颖 ,  曹丙强

IPC: H10K30/10 ,  H10K30/60 ,  H10K85/50 ,  H10K71/10 ,  C30B29/12 ,  C30B23/02

Abstract: 本发明公开了一种硅基外延钙钛矿异质PN结光电探测器及制备方法，所述硅基外延钙钛矿异质PN结光电探测器包括依次连接的上电极、钙钛矿层、单晶硅衬底和下电极；所述钙钛矿层通过脉冲激光沉积方法沉积在所述单晶硅衬底表面并形成异质PN结；本发明通过脉冲激光沉积技术在单晶硅衬底上形成钙钛矿层，能够实现结晶度高、晶格匹配、缺陷少的钙钛矿外延薄膜的大规模制备，进而得到很好晶体结构的的硅/钙钛矿异质结。

公开(公告)号：CN116705893A

公开(公告)日：2023-09-05

申请号：CN202310962777.5

申请日：2023-08-02

Applicant: 济南大学

Inventor： 祝鲁平 ,  王爱伟 ,  于颖 ,  曹丙强

IPC: H01L31/108 ,  C30B29/12 ,  C30B23/02 ,  C30B33/02 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明提供了一种MSM型光电探测器及其制备方法，涉及光电子材料的技术领域，该MSM型光电探测器的吸光层包括单晶钙钛矿薄膜，其中，单晶钙钛矿薄膜包括通过脉冲激光沉积法外延生长制备得到的外延薄膜。本发明解决了钙钛矿材料在实际应用中的稳定性差和光学性能差，导致严重影响钙钛矿光电器件的实际应用的技术问题，达到了显著提升光电探测器的光电性能，不仅探测光波长范围涵盖可见光和X射线波段，而且具有暗电流低、信噪比高和探测极限低等特点的技术效果。