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公开(公告)号：CN110590647B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN201910957509.8
申请日：2019-10-10
Applicant: 济南大学
IPC: C07D213/18 , C07D213/127 , H01L51/46
Abstract: 本发明公开了一种水稳定锑碘基无机‑有机杂化钙钛矿及其制备方法与应用。所述的杂化钙钛矿分子结构式为Et4ppi‑SbI4，式中的Et4ppi是带有一个单位正电荷的4‑苯基吡啶阳离子，由4‑苯基吡啶中的N原子乙基化形成；该材料中的SbI4阴离子则是三价锑离子和碘离子配位形成的一维阴离子链。通过选择三氯化锑，4‑苯基吡啶，丙酮和氢碘酸为反应原料，通过溶剂热反应获得了Et4ppi‑SbI4的单晶，该材料作为一种环境友好型材料，同时具有优异的水稳定性和光电转换性能，在光电子器件领域具有重要应用价值。
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公开(公告)号：CN110627709A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910957703.6
申请日：2019-10-10
Applicant: 济南大学
IPC: C07D213/20
Abstract: 本发明公开了一种高稳定性铋碘杂化光吸收剂Me4ppi-BiI4的制备方法与应用。所述材料的结构式为Me4ppi-BiI4，式中的Me4ppi代表甲基化的4-苯基吡啶阳离子，该材料中的BiI4阴离子则是三价铋离子和碘离子配位形成的一维阴离子链。选择三氯化铋，4-苯基吡啶，甲醇，乙腈和氢碘酸为反应原料，合成获得了化合物Me4ppi-BiI4的单晶，该材料在在75%相对湿度和太阳光下可以分别至少承受35天和7天并保持优异的光电响应能力，且粉末衍射证明该化合物在两种条件下均保持了其相纯度。
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公开(公告)号：CN110590646A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910948966.0
申请日：2019-10-08
Applicant: 济南大学
IPC: C07D213/18 , H01L51/42
Abstract: 一种基于库仑相互作用力的非铅杂化半导体材料及其合成与光电应用。本发明的目的在于以库仑作用为主要作用力构筑一种锑基无机-有机杂化钙钛矿型半导体材料，拓宽杂化半导体材料的构筑策略。通过选择氯化锑和苯基吡啶为反应原料，在溶剂热条件下一步反应获得杂化物(3-phenylpyridin-1-ium)SbI4的晶态产物，合成方法简单，思路新颖。结构中无机阴离子链和有机阳离子间无共价键，氢键等，只存在库伦相互作用。该杂化物具有优良的半导体性能，能在可见光的照射下表现出增强的导电性，且具有良好的光电导循环性和响应速率；可利用其特性用于光电转换，紫外及可见区的光探测应用。
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公开(公告)号：CN110590647A
公开(公告)日：2019-12-20
申请号：CN201910957509.8
申请日：2019-10-10
Applicant: 济南大学
IPC: C07D213/18 , C07D213/127 , H01L51/46
Abstract: 本发明公开了一种水稳定锑碘基无机-有机杂化钙钛矿及其制备方法与应用。所述的杂化钙钛矿分子结构式为Et4ppi-SbI4，式中的Et4ppi是带有一个单位正电荷的4-苯基吡啶阳离子，由4-苯基吡啶中的N原子乙基化形成；该材料中的SbI4阴离子则是三价锑离子和碘离子配位形成的一维阴离子链。通过选择三氯化锑，4-苯基吡啶，丙酮和氢碘酸为反应原料，通过溶剂热反应获得了Et4ppi-SbI4的单晶，该材料作为一种环境友好型材料，同时具有优异的水稳定性和光电转换性能，在光电子器件领域具有重要应用价值。
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公开(公告)号：CN110627709B
公开(公告)日：2022-09-20
申请号：CN201910957703.6
申请日：2019-10-10
Applicant: 济南大学
IPC: C07D213/20
Abstract: 本发明公开了一种高稳定性铋碘杂化光吸收剂Me4ppi‑BiI4的制备方法与应用。所述材料的结构式为Me4ppi‑BiI4，式中的Me4ppi代表甲基化的4‑苯基吡啶阳离子，该材料中的BiI4阴离子则是三价铋离子和碘离子配位形成的一维阴离子链。选择三氯化铋，4‑苯基吡啶，甲醇，乙腈和氢碘酸为反应原料，合成获得了化合物Me4ppi‑BiI4的单晶，该材料在在75%相对湿度和太阳光下可以分别至少承受35天和7天并保持优异的光电响应能力，且粉末衍射证明该化合物在两种条件下均保持了其相纯度。
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