一种S、P掺杂的g-C3N4管中管及其制备方法

    公开(公告)号:CN108383091A

    公开(公告)日:2018-08-10

    申请号:CN201711462850.3

    申请日:2017-12-28

    Applicant: 济南大学

    Inventor: 杨萍 刘志国

    Abstract: 本发明公开了一种S、P掺杂的g-C3N4管中管及其制备方法,其制备过程为:将三聚氰胺、磷酸二氢铵和二苄基硫醚混合,得到均匀的混合物;将该混合物升至550-700℃进行煅烧,得产物,所得产物具有管中管特殊形貌,成分为S、P掺杂的g-C3N4。本发明制备工艺简单,重复性好,由于g-C3N4具有良好的稳定性,且制备出的g-C3N4管中管产品具有中空程度可调控和较大的比表面积的特点,在微电子、催化、光催化、及电催化等方面具有极大的应用价值。

    一种S、P掺杂的g-C3N4管中管及其制备方法

    公开(公告)号:CN108383091B

    公开(公告)日:2021-03-23

    申请号:CN201711462850.3

    申请日:2017-12-28

    Applicant: 济南大学

    Inventor: 杨萍 刘志国

    Abstract: 本发明公开了一种S、P掺杂的g‑C3N4管中管及其制备方法,其制备过程为:将三聚氰胺、磷酸二氢铵和二苄基硫醚混合,得到均匀的混合物;将该混合物升至550‑700℃进行煅烧,得产物,所得产物具有管中管特殊形貌,成分为S、P掺杂的g‑C3N4。本发明制备工艺简单,重复性好,由于g‑C3N4具有良好的稳定性,且制备出的g‑C3N4管中管产品具有中空程度可调控和较大的比表面积的特点,在微电子、催化、光催化、及电催化等方面具有极大的应用价值。

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